MJ11015G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, PNP, -120 В, 200 Вт, -30 А, 1000 hFE
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
Области применения
Обработка Сигнала, Управление Питанием, Переносные Устройства, Потребительская Электроника, Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
-30А
DC Усиление Тока hFE:
1000hFE
Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-120В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-3
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
