Мск: 8 (495) 281-51-61
СПб: 8 (812) 320-88-25
Контакты
Перезвонить
Каталог продукции
0 Ваша Корзина

Биполярные Транзисторы

Популярные выше
50 На страницу
EMD9T2R (ROHM)
F1680310
Биполярный цифровой/смещение транзистор, двойной, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора:EMT
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:NPN и PNP
Резистор База-эмиттер R2:47кОм
Резистор На входе Базы R1:10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:-
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
22,21 Р (включая НДС 20%)
400 шт.

Минимальное количество для товара "EMD9T2R (ROHM)" 5.

Отложить Сравнить
FZT792A (DIODES INC.)
F9525238
Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 160 МГц, 2 Вт, 2 А, 300 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN

DC Ток Коллектора:2А
DC Усиление Тока hFE:300hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:70В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:2Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-223
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:160МГц
84,93 Р (включая НДС 20%)
1046 шт.

Минимальное количество для товара "FZT792A (DIODES INC.)" 5.

Отложить Сравнить
BCV72,215 (NEXPERIA)
F2575207
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 250 мВт, 100 мА, 450 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:100мА
DC Усиление Тока hFE:450hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:250мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:100МГц
18,18 Р (включая НДС 20%)
3034 шт.

Минимальное количество для товара "BCV72,215 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
2N5320 (MULTICOMP)
F1703990
Биполярный транзистор, NPN, 75 В, 10 Вт, 2 А, 30 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Drawing EN

DC Ток Коллектора:2А
DC Усиление Тока hFE:30hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:75В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:10Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-39
Частота Перехода ft:-
354,44 Р (включая НДС 20%)
1519 шт.

Минимальное количество для товара "2N5320 (MULTICOMP)" 5.

Отложить Сравнить
BCR135E6327HTSA1 (INFINEON)
F2443491
Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:47кОм
Резистор На входе Базы R1:10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:0.21соотношение
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
20,37 Р (включая НДС 20%)
5730 шт.

Минимальное количество для товара "BCR135E6327HTSA1 (INFINEON)" 5.

Отложить Сравнить
PBSS4160PANPSX (NEXPERIA)
F2628096
Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 60 В, 510 мВт, 1 А, 70 hFE, SOT-1118

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:1А
DC Усиление Тока hFE:70hFE
Количество Выводов:6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:NPN, PNP
Рассеиваемая Мощность:510мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-1118
Тип упаковки:Разрезная лента
45,11 Р (включая НДС 20%)
75 шт.

Минимальное количество для товара "PBSS4160PANPSX (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
PUMH2,115 (NEXPERIA)
F8738548
Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 47 кОм, 47 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
Packaging / Drawing / Footprint EN
  Simulation Model EN

Количество Выводов:6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора:SOT-363
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:Двойной NPN
Резистор База-эмиттер R2:47кОм
Резистор На входе Базы R1:47кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:-
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Разрезная лента
26,81 Р (включая НДС 20%)
14825 шт.

Минимальное количество для товара "PUMH2,115 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
TIP115 (MULTICOMP)
F9294511
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -60 В, 50 Вт, -2 А, 1000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:-2А
DC Усиление Тока hFE:1000hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-60В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:50Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-220
Частота Перехода ft:-
164,56 Р (включая НДС 20%)
360 шт.

Минимальное количество для товара "TIP115 (MULTICOMP)" 5.

Отложить Сравнить
PDTC143ET,215 (NEXPERIA)
F2336823
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:4.7кОм
Резистор На входе Базы R1:4.7кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:1соотношение
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Катушка
2,88 Р (включая НДС 20%)
132000 шт.

Минимальное количество для товара "PDTC143ET,215 (NEXPERIA)" 3000.

Отложить Сравнить
DTC114EUAFRAT106 (ROHM)
F2528382
Биполярный цифровой/смещение транзистор, AEC-Q101, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:SOT-323
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:10кОм
Резистор На входе Базы R1:10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:1соотношение
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Тип упаковки:Разрезная лента
13,81 Р (включая НДС 20%)
1730 шт.

Минимальное количество для товара "DTC114EUAFRAT106 (ROHM)" 5.

Отложить Сравнить
STR2550 (STMICROELECTRONICS)
F2629739
Биполярный транзистор, PNP, -500 В, 500 мВт, -500 мА, 10 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:-500мА
DC Усиление Тока hFE:10hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-500В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:500мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:-
37,75 Р (включая НДС 20%)
6045 шт.

Минимальное количество для товара "STR2550 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
PBHV8115T,215 (NEXPERIA)
F1829308
Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 30 МГц, 300 мВт, 1 А, 250 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
Application Note EN

DC Ток Коллектора:1А
DC Усиление Тока hFE:250hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:150В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:300мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:30МГц
43,15 Р (включая НДС 20%)
6182 шт.

Минимальное количество для товара "PBHV8115T,215 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
MD2310FX (STMICROELECTRONICS)
F1297992
Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 62 Вт, 7 А, 28 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:7А
DC Усиление Тока hFE:28hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:700В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:62Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:ISOWATT-218FX
Частота Перехода ft:-
226,70 Р (включая НДС 20%)
323 шт.

Минимальное количество для товара "MD2310FX (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
PZTA92,115 (NEXPERIA)
F8738645
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1.2 Вт, 100 мА, 40 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Packaging / Drawing / Footprint EN
Manufacturer Product Page EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:100мА
DC Усиление Тока hFE:40hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:300В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:1.2Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-223
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:-
53,05 Р (включая НДС 20%)
1052 шт.
Отложить Сравнить
KSE13003H2ASTU (ON SEMICONDUCTOR)
F2453965
Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 МГц, 20 Вт, 1.5 А, 14 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:1.5А
DC Усиление Тока hFE:14hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:400В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:20Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-225AA
Частота Перехода ft:4МГц
47,87 Р (включая НДС 20%)
353 шт.

Минимальное количество для товара "KSE13003H2ASTU (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
MJD350T4G (ON SEMICONDUCTOR)
F2464106
Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -300 В, 10 МГц, 15 Вт, -500 мА, 30 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:-500мА
DC Усиление Тока hFE:30hFE
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-300В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:15Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:TO-252
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:10МГц
51,67 Р (включая НДС 20%)
1514 шт.

Минимальное количество для товара "MJD350T4G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
SMMBTA06LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
F2533348
Биполярный транзистор, AEC-Q101, NPN, 80 В, 100 МГц, 225 мВт, 500 мА, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:500мА
DC Усиление Тока hFE:100hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:80В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:225мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:100МГц
29,11 Р (включая НДС 20%)
5683 шт.

Минимальное количество для товара "SMMBTA06LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
2N6438 (MULTICOMP)
F1696278
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V TO-3

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:25А
DC Усиление Тока hFE:80hFE
Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-120В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:40МГц
904,51 Р (включая НДС 20%)
42 шт.
Отложить Сравнить
FCX605TA (DIODES INC.)
F1902494
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 120 В, 150 МГц, 1 Вт, 1 А, 100000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:1А
DC Усиление Тока hFE:100000hFE
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:120В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:1Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-89
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:150МГц
63,52 Р (включая НДС 20%)
500 шт.

Минимальное количество для товара "FCX605TA (DIODES INC.)" 5.

Отложить Сравнить
HFA3127BZ (RENESAS)
F1611372
Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 150 мВт, 37 мА, 130 hFE, SOIC

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:37мА
DC Усиление Тока hFE:130hFE
Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:8В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:150мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOIC
593,14 Р (включая НДС 20%)
6 шт.
Отложить Сравнить
MMBT4403 (ON SEMICONDUCTOR)
F1467899
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 200 МГц, 350 мВт, 600 мА, 300 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:600мА
DC Усиление Тока hFE:300hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:40В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:350мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:200МГц
16,57 Р (включая НДС 20%)
20236 шт.

Минимальное количество для товара "MMBT4403 (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
BFS17PE6327HTSA1 (INFINEON)
F1056522
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 15 В, 2.5 ГГц, 280 мВт, 25 мА, 70 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:25мА
DC Усиление Тока hFE:70hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:15В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:280мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:2.5ГГц
31,53 Р (включая НДС 20%)
640 шт.

Минимальное количество для товара "BFS17PE6327HTSA1 (INFINEON)" 5.

Отложить Сравнить
FZTA14TA (DIODES INC.)
F1471163
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 170 МГц, 2 Вт, 1 А, 20000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN

DC Ток Коллектора:1А
DC Усиление Тока hFE:20000hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:30В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:2Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-223
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:170МГц
47,30 Р (включая НДС 20%)
1060 шт.

Минимальное количество для товара "FZTA14TA (DIODES INC.)" 5.

Отложить Сравнить
ULN2004AN (TEXAS INSTRUMENTS)
F1103041
Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 350 мА, DIP

Документация
Technical Data Sheet EN
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:350мА
DC Усиление Тока hFE:-
Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:-
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:DIP
56,45 Р (включая НДС 20%)
2090 шт.

Минимальное количество для товара "ULN2004AN (TEXAS INSTRUMENTS)" 5.

Отложить Сравнить
2N6609 (MULTICOMP)
F1165913
Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 140 В, 150 Вт, 16 А, 60 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:16А
DC Усиление Тока hFE:60hFE
Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:140В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:150Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:-
636,12 Р (включая НДС 20%)
1166 шт.
Отложить Сравнить
2STBN15D100 (STMICROELECTRONICS)
F2344074
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 70 Вт, 12 А, 750 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:12А
DC Усиление Тока hFE:750hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:100В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:70Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-263
Частота Перехода ft:-
110,24 Р (включая НДС 20%)
12009 шт.
Отложить Сравнить
BD676G (ON SEMICONDUCTOR)
F9557644
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 45 В, 200 МГц, 40 Вт, 4 А, 750 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN

DC Ток Коллектора:4А
DC Усиление Тока hFE:750hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:45В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:40Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-225AA
Частота Перехода ft:200МГц
62,60 Р (включая НДС 20%)
1154 шт.

Минимальное количество для товара "BD676G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
BDX33B (MULTICOMP)
F9294082
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 70 Вт, 10 А, 750 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:10А
DC Усиление Тока hFE:750hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:80В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:70Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-220
Частота Перехода ft:-
203,69 Р (включая НДС 20%)
419 шт.

Минимальное количество для товара "BDX33B (MULTICOMP)" 5.

Отложить Сравнить
BCP55-16,115 (NEXPERIA)
F2319376
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 180 МГц, 650 мВт, 1 А, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Packaging / Drawing / Footprint EN

DC Ток Коллектора:1А
DC Усиление Тока hFE:100hFE
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:650мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-223
Частота Перехода ft:180МГц
8,98 Р (включая НДС 20%)
10000 шт.

Минимальное количество для товара "BCP55-16,115 (NEXPERIA)" 1000.

Отложить Сравнить
MJL21193G (ON SEMICONDUCTOR)
F9555781
Биполярный транзистор, аудио, PNP, 250 В, 4 МГц, 200 Вт, 16 А, 75 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:16А
DC Усиление Тока hFE:75hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:250В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-264
Частота Перехода ft:4МГц
544,31 Р (включая НДС 20%)
3929 шт.
Отложить Сравнить
MMUN2111LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
F9556702
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:Одиночный PNP
Резистор База-эмиттер R2:10кОм
Резистор На входе Базы R1:10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:1соотношение
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Тип упаковки:Разрезная лента
12,43 Р (включая НДС 20%)
53467 шт.

Минимальное количество для товара "MMUN2111LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
PMBS3904,215 (NEXPERIA)
F2336808
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 180 МГц, 250 мВт, 100 мА, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:100мА
DC Усиление Тока hFE:100hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:40В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:250мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Катушка
Частота Перехода ft:180МГц
2,45 Р (включая НДС 20%)
12000 шт.

Минимальное количество для товара "PMBS3904,215 (NEXPERIA)" 3000.

Отложить Сравнить
BFP840FESDH6327XTSA1 (INFINEON)
F2480676
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.25 В, 85 ГГц, 75 мВт, 35 мА, 150 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:35мА
DC Усиление Тока hFE:150hFE
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:TSFP
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:2.25В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:75мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:85ГГц
40,74 Р (включая НДС 20%)
2337 шт.

Минимальное количество для товара "BFP840FESDH6327XTSA1 (INFINEON)" 5.

Отложить Сравнить
BFP460H6327XTSA1 (INFINEON)
F2480667
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 22 ГГц, 230 мВт, 70 мА, 90 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:70мА
DC Усиление Тока hFE:90hFE
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:SOT-343
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:4.5В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:230мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:22ГГц
39,70 Р (включая НДС 20%)
2100 шт.

Минимальное количество для товара "BFP460H6327XTSA1 (INFINEON)" 5.

Отложить Сравнить
2N5192G (ON SEMICONDUCTOR)
F2535595
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 2 МГц, 40 Вт, 4 А, 10 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:4А
DC Усиление Тока hFE:10hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:80В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:40Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-225
Частота Перехода ft:2МГц
63,52 Р (включая НДС 20%)
440 шт.

Минимальное количество для товара "2N5192G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
SBC846BDW1T1G (ON SEMICONDUCTOR)
F2628004
Массив биполярных транзисторов, NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:100мА
DC Усиление Тока hFE:200hFE
Количество Выводов:6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:65В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:380мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-363
Тип упаковки:Разрезная лента
32,22 Р (включая НДС 20%)
20080 шт.

Минимальное количество для товара "SBC846BDW1T1G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
PBSS4160PANSX (NEXPERIA)
F2628097
Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 60 В, 510 мВт, 1 А, 70 hFE, SOT-1118

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:1А
DC Усиление Тока hFE:70hFE
Количество Выводов:6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность:510мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-1118
Тип упаковки:Разрезная лента
46,95 Р (включая НДС 20%)
2350 шт.

Минимальное количество для товара "PBSS4160PANSX (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
SST3904T116 (ROHM)
F2914124
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 350 мВт, 200 мА, 30 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:200мА
DC Усиление Тока hFE:30hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:40В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:350мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Частота Перехода ft:300МГц
26,81 Р (включая НДС 20%)
2890 шт.

Минимальное количество для товара "SST3904T116 (ROHM)" 5.

Отложить Сравнить
MJ15003 (MULTICOMP)
F1165909
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 140 В, 2 МГц, 250 Вт, 20 А, 25 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:20А
DC Усиление Тока hFE:25hFE
Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:140В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:250Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:2МГц
620,84 Р (включая НДС 20%)
2555 шт.
Отложить Сравнить
BSV52LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
F2317548
Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 400 МГц, 225 мВт, 100 мА, 25 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:100мА
DC Усиление Тока hFE:25hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:12В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:225мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:400МГц
20,02 Р (включая НДС 20%)
1166 шт.

Минимальное количество для товара "BSV52LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
NJVMJD31CT4G-VF01 (ON SEMICONDUCTOR)
F2317567
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 15 Вт, 3 А, 10 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:3А
DC Усиление Тока hFE:10hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:100В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:15Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:TO-252
Частота Перехода ft:3МГц
59,26 Р (включая НДС 20%)
2104 шт.

Минимальное количество для товара "NJVMJD31CT4G-VF01 (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
MJD127T4G (ON SEMICONDUCTOR)
F2317582
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:-8А
DC Усиление Тока hFE:100hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-100В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:20Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-252
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:4МГц
64,90 Р (включая НДС 20%)
1564 шт.

Минимальное количество для товара "MJD127T4G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
MMBTA64.. (ON SEMICONDUCTOR)
F9875530
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:-1.2А
DC Усиление Тока hFE:10000hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-30В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:350мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Частота Перехода ft:125МГц
29,46 Р (включая НДС 20%)
10212 шт.
Отложить Сравнить
ZX5T849GTA (DIODES INC.)
F7565038
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 140 МГц, 1.6 Вт, 7 А, 200 hFE
DC Ток Коллектора:7А
DC Усиление Тока hFE:200hFE
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:30В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:1.6Вт
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-223
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:140МГц
110,59 Р (включая НДС 20%)
1368 шт.

Минимальное количество для товара "ZX5T849GTA (DIODES INC.)" 5.

Отложить Сравнить
BF840,215 (NEXPERIA)
F8734992
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 40 В, 380 МГц, 250 мВт, 25 мА, 67 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Packaging / Drawing / Footprint EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:25мА
DC Усиление Тока hFE:67hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:40В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:250мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:380МГц
27,51 Р (включая НДС 20%)
15055 шт.

Минимальное количество для товара "BF840,215 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
PBSS4320X,135 (NEXPERIA)
F8736294
Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 100 МГц, 550 мВт, 2 А, 220 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN

DC Ток Коллектора:2А
DC Усиление Тока hFE:220hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:20В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:550мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-89
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:100МГц
18,41 Р (включая НДС 20%)
4164 шт.

Минимальное количество для товара "PBSS4320X,135 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
PUMD48,115 (NEXPERIA)
F8738394
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 47 кОм, 47 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
Packaging / Drawing / Footprint EN
Application Note EN

Количество Выводов:6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора:SOT-363
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:NPN и PNP
Резистор База-эмиттер R2:47кОм
Резистор На входе Базы R1:47кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:-
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Разрезная лента
25,78 Р (включая НДС 20%)
8841 шт.

Минимальное количество для товара "PUMD48,115 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
2N3055 (MULTICOMP)
F1165889
Биполярный транзистор, Общего назначения, NPN, 60 В, 800 кГц, 115 Вт, 15 А, 5 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:15А
DC Усиление Тока hFE:5hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:115Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:800кГц
274,13 Р (включая НДС 20%)
39854 шт.

Минимальное количество для товара "2N3055 (MULTICOMP)" 5.

Отложить Сравнить
MJ11033 (MULTICOMP)
F1165919
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 120 В, 300 Вт, 50 А, 1000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:50А
DC Усиление Тока hFE:1000hFE
Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:120В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:300Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:-
1 570,25 Р (включая НДС 20%)
145 шт.
Отложить Сравнить
BC869 (MULTICOMP)
F1798059
Биполярный транзистор, PNP, -20 В, 1.35 Вт, -1 А, 375 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:-1А
DC Усиление Тока hFE:375hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-20В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:1.35Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-89
Частота Перехода ft:-
52,25 Р (включая НДС 20%)

Минимальное количество для товара "BC869 (MULTICOMP)" 5.

Под заказ
Отложить Сравнить
 Назад
1 2 3 4 5 6 7 8
Вперед  2 - 16
Фильтры товаров
Наличие
Склады
Бренд
    Еще
Упаковка
Сбросить Закрыть