0 Ваша Корзина

Полупроводники - Дискретные

F1827757
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 190 В, 215 В, 10 мкА, 1 А, DO-15, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:215В
Максимальный Ток Включения:10мкА
Минимальное Напряжение Включения:190В
Пиковый Прямой Ток:
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-15
111,25 Р (включая НДС 20%)
545 шт.
Отложить Сравнить
F2423623
Модуль диода, 800 В, 100 А, 1.35 В, 1 Пара Последовательное Соединение, SKKD Series

Документация
Technical Data Sheet EN

Конфигурация Модуля Диода:1 Пара Последовательное Соединение
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:800В
Максимальное Прямое Напряжение:1.35В
Средний Прямой Ток:100А
5 245,70 Р (включая НДС 20%)
4 шт.
Отложить Сравнить
F2535529
Тиристор, 600 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):
72,07 Р (включая НДС 20%)
7589 шт.
Отложить Сравнить
F1017712
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -35 В, 5 мА, -5 В, TO-92, JFET

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3 Вывода
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):-5В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):5мА
Напряжение Пробоя Vbr:-35В
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-92
Тип Транзистора:JFET
30,91 Р (включая НДС 20%)
69704 шт.

Минимальное количество для товара "J112 (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
F2322639
Умный модуль питания (IPM), SPM, IGBT, 600 В, 30 А, 2.5 кВ

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Напряжение Изоляции:2.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss):600В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM):-
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания:-
Ток (Ic / Id):30А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания:IGBT
2 132,54 Р (включая НДС 20%)
784 шт.
Отложить Сравнить
F2805101
РЧ полевой транзистор, LDMOS, 133 В DC, 235 Вт, 1.8 МГц, 1.215 ГГц, NI-650H

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:NI-650H
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальная Рабочая Частота:1.215ГГц
Минимальная Рабочая Частота:1.8МГц
Напряжение Истока-стока Vds:133В DC
Непрерывный Ток Стока:-
Рассеиваемая Мощность:235Вт
Тип упаковки:Разрезная лента
14 471,73 Р (включая НДС 20%)
6 шт.
Отложить Сравнить
F2630826
МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 900 В, 0.12 Ом, 15 В, 2.1 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):15В
Напряжение Истока-стока Vds:900В
Непрерывный Ток Стока:22А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:2.1В
Рассеиваемая Мощность:83Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.12Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-263
676,39 Р (включая НДС 20%)
379 шт.
Отложить Сравнить
F1081211
Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 100 В, 215 мА, 1.25 В, 4 нс, 4 А

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
Packaging / Drawing / Footprint EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Конфигурация Диода:Двойной Последовательный
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Время Обратного Восстановления:4нс
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:100В
Максимальное Прямое Напряжение:1.25В
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm:
Средний Прямой Ток:215мА
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Диода:TO-236AB
Тип упаковки:Разрезная лента
11,91 Р (включая НДС 20%)
1312143 шт.

Минимальное количество для товара "BAV99,215 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
F2850758
Карбидокремниевый диод Шоттки, Z-REC Series, Одиночный, 1.2 кВ, 54 А, 99 нКл, TO-247

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:2 Вывода
Конфигурация Диода:Одиночный
Максимальная Температура Перехода Tj:175°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:1.2кВ
Полный Емкостной Заряд Qc:99нКл
Постоянный Прямой Ток If:54А
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Диода:TO-247
2 072,48 Р (включая НДС 20%)
125 шт.
Отложить Сравнить
F2432689
Диод с переменной емкостью, варикап, 76 пФ, 20 мА, 30 В, 150 °C, SOD-323, 2 Вывода

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN

Количество Выводов:2 Вывода
Максимальная Емкость Варикапа при Vr F:76пФ
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:30В
Средний Прямой Ток:20мА
Стиль Корпуса Диода:SOD-323
29,73 Р (включая НДС 20%)
18937 шт.

Минимальное количество для товара "BB640E6327HTSA1 (INFINEON)" 5.

Отложить Сравнить
F1295227
Модуль диода, 200 В, 50 А, 1 В, STTH1 Series

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Конфигурация Модуля Диода:-
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:200В
Максимальное Прямое Напряжение:
Средний Прямой Ток:50А
1 927,75 Р (включая НДС 20%)
26 шт.
Отложить Сравнить
F2413248
IPM, IGBT, 10A, 1.5KV, DIP
Напряжение Изоляции:1.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss):600В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM):DIPIPM
Соответствует Фталатам RoHS:To Be Advised
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания:DIP
Ток (Ic / Id):10А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания:IGBT
2 025,22 Р (включая НДС 20%)
32 шт.
Отложить Сравнить
F2750955
Мостовой выпрямитель, 3 Фазы, 1.6 кВ, 25 А, SIP, 1.1 В, 5 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:5вывод(-ов)
Количество Фаз:3 Фазы
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:1.6кВ
Максимальное Прямое Напряжение:1.1В
Средний Прямой Ток:25А
Стиль Корпуса Мостового Выпрямителя:SIP
876,25 Р (включая НДС 20%)
215 шт.
Отложить Сравнить
F2422213
МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 1.2 кВ, 0.025 Ом, 20 В, 2.4 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):20В
Напряжение Истока-стока Vds:1.2кВ
Непрерывный Ток Стока:90А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:2.4В
Рассеиваемая Мощность:463Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.025Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-247
6 491,15 Р (включая НДС 20%)
452 шт.
Отложить Сравнить
F2361496
МОП-транзистор, N Канал, 31.6 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, 20 В, 3.2 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):20В
Напряжение Истока-стока Vds:1.2кВ
Непрерывный Ток Стока:31.6А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:3.2В
Рассеиваемая Мощность:208Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.08Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-247
1 588,08 Р (включая НДС 20%)
4298 шт.
Отложить Сравнить
F2709521
Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 30.8А, 1.2кВ, 0.075Ом, 15В, 2.5В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):15В
Напряжение Истока-стока Vds:1.2кВ
Непрерывный Ток Стока:30.8А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:2.5В
Рассеиваемая Мощность:119Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.075Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-247
2 052,79 Р (включая НДС 20%)
2027 шт.
Отложить Сравнить
F2627526
Умный модуль питания (IPM), IGBT, 600 В, 10 А, 1.5 кВ, SDIP, DIPIPM

Документация
Technical Data Sheet EN

Напряжение Изоляции:1.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss):600В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM):DIPIPM
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания:SDIP
Ток (Ic / Id):10А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания:IGBT
661,62 Р (включая НДС 20%)
6 шт.
Отложить Сравнить
F2672015
Карбидокремниевый диод Шоттки, C3D, Z-Rec 650V Series, Двойной Общий Катод, 650 В, 78 А, 44.5 нКл

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3 Вывода
Конфигурация Диода:Двойной Общий Катод
Максимальная Температура Перехода Tj:175°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:650В
Полный Емкостной Заряд Qc:44.5нКл
Постоянный Прямой Ток If:78А
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Диода:TO-247
1 455,17 Р (включая НДС 20%)
746 шт.
Отложить Сравнить
F2423682
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 160 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:160А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.8В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
8 435,65 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
F2295706
Диод схемы стабилизации тока, 100 В, 2.7 мА, 300 кОм, 200 °C, DO-35, 2 Вывода

Документация
Technical Data Sheet EN

Динамический Импеданс:300кОм
Количество Выводов:2 Вывода
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Пиковое Рабочее Напряжение Ip:100В
Стабилизированный Ток:2.7мА
Стиль Корпуса Диода:DO-35
1 730,84 Р (включая НДС 20%)
109 шт.
Отложить Сравнить
F1017872
Выпрямитель Шоттки, 40 В, 2 А, Одиночный, DO-214AA, 2 вывод(-ов), 500 мВ

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Конфигурация Диода:Одиночный
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:40В
Максимальное Прямое Напряжение:500мВ
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm:50А
Средний Прямой Ток:
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Диода:DO-214AA
Тип упаковки:Разрезная лента
32,59 Р (включая НДС 20%)
31249 шт.

Минимальное количество для товара "SS24 (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
F2336823
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер:50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:100мА
Полярность Цифрового Транзистора:Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:4.7кОм
Резистор На входе Базы R1:4.7кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:1соотношение
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Катушка
2,43 Р (включая НДС 20%)
126000 шт.

Минимальное количество для товара "PDTC143ET,215 (NEXPERIA)" 3000.

Отложить Сравнить
F2628096
Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 60 В, 510 мВт, 1 А, 70 hFE, SOT-1118

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:70hFE
Количество Выводов:6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:NPN, PNP
Рассеиваемая Мощность:510мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-1118
Тип упаковки:Разрезная лента
39,78 Р (включая НДС 20%)
75 шт.

Минимальное количество для товара "PBSS4160PANPSX (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
F1095037
БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:60А
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2.9В
Рассеиваемая Мощность:180Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-264
512,95 Р (включая НДС 20%)
4811 шт.
Отложить Сравнить
F2781164
МОП-транзистор, N Канал, 10.1 А, 650 В, 0.54 Ом, 10 В, 3 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
Application Note EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):10В
Напряжение Истока-стока Vds:650В
Непрерывный Ток Стока:10.1А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:28Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.54Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-220FP
107,32 Р (включая НДС 20%)
262 шт.
Отложить Сравнить
F2729668
Умный модуль питания (IPM), IGBT, 600 В, 12 А, 1500 В СКЗ, DIP, SLLIMM

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Напряжение Изоляции:1500В СКЗ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss):600В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM):SLLIMM
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания:DIP
Ток (Ic / Id):12А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания:IGBT
1 147,00 Р (включая НДС 20%)
115 шт.
Отложить Сравнить
F2453905
МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 900 В, 3.5 Ом, 10 В, 5 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):10В
Напряжение Истока-стока Vds:900В
Непрерывный Ток Стока:
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:140Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):3.5Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-220AB
71,68 Р (включая НДС 20%)
685 шт.

Минимальное количество для товара "FQP4N90C (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
F2423663
Модуль тиристора, последовательное подключение, 156А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:400мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:5.4кА
Средний Ток It:156А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):250А
4 344,83 Р (включая НДС 20%)
51 шт.
Отложить Сравнить
F2627529
Умный модуль питания (IPM), IGBT, 600 В, 15 А, 1.5 кВ, SDIP, DIPIPM

Документация
Technical Data Sheet EN

Напряжение Изоляции:1.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss):600В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM):DIPIPM
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания:SDIP
Ток (Ic / Id):15А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания:IGBT
1 745,61 Р (включая НДС 20%)
1 шт.
Отложить Сравнить
F1080099
Модуль диода, 1.2 кВ, 56 А, 1.2 В, Двойной Изолированный, DSI2X Series

Документация
Technical Data Sheet EN

Конфигурация Модуля Диода:Двойной Изолированный
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:1.2кВ
Максимальное Прямое Напряжение:1.2В
Средний Прямой Ток:56А
1 729,86 Р (включая НДС 20%)
195 шт.
Отложить Сравнить
F2423633
Модуль диода, 1.6 кВ, 47 А, 1.95 В, Двойной Последовательный, SKKD Series

Документация
Technical Data Sheet EN

Конфигурация Модуля Диода:Двойной Последовательный
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:1.6кВ
Максимальное Прямое Напряжение:1.95В
Средний Прямой Ток:47А
3 665,49 Р (включая НДС 20%)
4 шт.
Отложить Сравнить
F2103720
THYRISTOR, 125A, 600V, TO-83-3

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:200мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:125мА
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:1.4кА
Средний Ток It:70А
Тип SCR Модуля:Single SCR
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):125А
14 079,10 Р (включая НДС 20%)
4 шт.
Отложить Сравнить
F2423668
Модуль тиристора, последовательное подключение, 32А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:550А
Средний Ток It:32А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
2 776,44 Р (включая НДС 20%)
32 шт.
Отложить Сравнить
F1696278
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V TO-3

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:25А
DC Усиление Тока hFE:80hFE
Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-120В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:40МГц
900,87 Р (включая НДС 20%)
37 шт.
Отложить Сравнить
F1165913
Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 140 В, 150 Вт, 16 А, 60 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:16А
DC Усиление Тока hFE:60hFE
Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:140В
Полярность Транзистора:PNP
Рассеиваемая Мощность:150Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-3
Частота Перехода ft:-
686,23 Р (включая НДС 20%)
737 шт.
Отложить Сравнить
F2323203
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6.5 А, 20 В, 0.025 Ом, 4.5 В, 1 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):4.5В
Напряжение Истока-стока Vds:20В
Непрерывный Ток Стока:6.5А
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.025Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOIC
Тип упаковки:Катушка
19,10 Р (включая НДС 20%)
2500 шт.

Минимальное количество для товара "FDS9926A (ON SEMICONDUCTOR)" 2500.

Отложить Сравнить
F2423657
Модуль тиристора, последовательное подключение, 106А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:130°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:22.5кА
Средний Ток It:106А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):180А
6 242,06 Р (включая НДС 20%)
15 шт.
Отложить Сравнить
F2627527
Умный модуль питания (IPM), IGBT, 600 В, 10 А, 1.5 кВ, SDIP, DIPIPM

Документация
Technical Data Sheet EN

Напряжение Изоляции:1.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss):600В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM):DIPIPM
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания:SDIP
Ток (Ic / Id):10А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания:IGBT
783,70 Р (включая НДС 20%)
21 шт.
Отложить Сравнить
F2361497
МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 1.7 кВ, 0.95 Ом, 20 В, 2.4 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):20В
Напряжение Истока-стока Vds:1.7кВ
Непрерывный Ток Стока:4.9А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:2.4В
Рассеиваемая Мощность:69Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.95Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-247
541,50 Р (включая НДС 20%)
831 шт.
Отложить Сравнить
F9910751
Триак, 600 В, 8 А, 35 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:80А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):
155,56 Р (включая НДС 20%)
1452 шт.
Отложить Сравнить
F2423667
Модуль тиристора, последовательное подключение, 25А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:-
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:-
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:550А
Средний Ток It:25А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
5 054,69 Р (включая НДС 20%)
6 шт.
Отложить Сравнить
F1758057
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 6 мА, 15 мА

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN

Количество Выводов:3 Вывода
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):-1.5В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):15мА
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):6мА
Напряжение Пробоя Vbr:-25В
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-23
Тип Транзистора:JFET
Тип упаковки:Разрезная лента
113,28 Р (включая НДС 20%)
1587 шт.
Отложить Сравнить
F1080119
Модуль тиристора, антипараллельный, 25А, 1200В

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:350А
Средний Ток It:25А
Тип SCR Модуля:Антипараллельный Кремниевый Тиристор
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):54А
1 852,93 Р (включая НДС 20%)
21 шт.
Отложить Сравнить
F1752027
МОП-транзистор, N Канал, 1.05 А, 900 В, 5 Ом, 10 В, 3.75 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):10В
Напряжение Истока-стока Vds:900В
Непрерывный Ток Стока:1.05А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:3.75В
Рассеиваемая Мощность:70Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):5Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-251AA
125,04 Р (включая НДС 20%)
3773 шт.

Минимальное количество для товара "STD2NK90Z-1 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
F2839341
Модуль диода, 1.6 кВ, 150 А, 1.65 В, Мост, eupec EconoBRIDGE Series

Документация
Technical Data Sheet EN

Конфигурация Модуля Диода:Мост
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:1.6кВ
Максимальное Прямое Напряжение:1.65В
Средний Прямой Ток:150А
6 885,96 Р (включая НДС 20%)
10 шт.
Отложить Сравнить
F2074998
Триак, 800 В, 1 А, TO-92, 7 мА, 1.3 В, 2 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:2Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8.5А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):
33,38 Р (включая НДС 20%)
10882 шт.

Минимальное количество для товара "Z0107NA/DG,116 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
F2423656
Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 95А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:2кА
Средний Ток It:95А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):150А
5 307,72 Р (включая НДС 20%)
1 шт.
Отложить Сравнить
F2575207
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 250 мВт, 100 мА, 450 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:100мА
DC Усиление Тока hFE:450hFE
Количество Выводов:3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:SOT-23
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:60В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:250мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Тип упаковки:Разрезная лента
Частота Перехода ft:100МГц
16,05 Р (включая НДС 20%)
2414 шт.

Минимальное количество для товара "BCV72,215 (NEXPERIA)" 5.

Отложить Сравнить
F2061516
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.7 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 400 мВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):4.5В
Напряжение Истока-стока Vds:20В
Непрерывный Ток Стока:3.7А
Полярность Транзистора:N и P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:400мВ
Рассеиваемая Мощность:1.13Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.027Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TSOT-26
Тип упаковки:Повторная намотка на катушки
33,38 Р (включая НДС 20%)
17335 шт.

Минимальное количество для товара "DMC2038LVT (DIODES INC.)" 5.

Отложить Сравнить
F2773496
МОП-транзистор, C3M™ SiC МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом, 15 В, 2 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Измерения Rds(on):15В
Напряжение Истока-стока Vds:1.2кВ
Непрерывный Ток Стока:30А
Полярность Транзистора:N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:113.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):0.075Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Транзистора:TO-263
1 169,65 Р (включая НДС 20%)
289 шт.
Отложить Сравнить
Фильтры товаров
Бренд
    Еще
Упаковка
RoHS статус
Линейка Продукции