BC857CDW1T1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2440805
4,78 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
9000+
24000+
45000+
Цена
4,16 Р
3,85 Р
3,55 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "BC857CDW1T1G (ON SEMICONDUCTOR)" 3000.

Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 380 мВт, -100 мА, 270 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеBC857CDW1T1G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваUnited States СкладFarnell

Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 380 мВт, -100 мА, 270 hFE

The BC857CDW1T1G is a dual PNP general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Авто

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
-100мА
DC Усиление Тока hFE:
270hFE
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-45В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
380мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-363
Тип упаковки:
Катушка
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные