FDS6912A (ON SEMICONDUCTOR)
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.9 В
The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W Thermal resistance, junction to case
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
30В
Непрерывный Ток Стока:
6А
Полярность Транзистора:
Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1.9В
Рассеиваемая Мощность:
1.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.019Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOIC
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
