MMUN2216LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм
The MMUN2216LT1G is a NPN Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-23
Линейка Продукции:
-
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:
100мА
Полярность Цифрового Транзистора:
Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:
-
Резистор На входе Базы R1:
4.7кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
