MMBT6427 (ON SEMICONDUCTOR)

F2454026
7,50 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
25+
100+
250+
500+
1000+
Цена
7,31 Р
3,04 Р
2,75 Р
2,66 Р
2,47 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MMBT6427 (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 350 мВт, 1.2 А, 10000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

По запросу
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMMBT6427 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 350 мВт, 1.2 А, 10000 hFE

The MMBT6427 is a NPN Darlington Transistor designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A.
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

DC Ток Коллектора:
1.2А
DC Усиление Тока hFE:
10000hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
40В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
350мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки