MJD45H11TM (ON SEMICONDUCTOR)

F2453357
81,96 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
Цена
65,59 Р
38,38 Р
35,84 Р
33,18 Р
30,64 Р
нет данных
 
Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 1.75 Вт, -8 А, 40 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

По запросу
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJD45H11TM Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 1.75 Вт, -8 А, 40 hFE

The MJD45H11TM is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching (such as output or driver stages) applications.
  • Lead formed for surface-mount application
  • Low collector emitter saturation voltage
  • Fast switching speeds

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

DC Ток Коллектора:
-8А
DC Усиление Тока hFE:
40hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-80В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
1.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
40МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные