MJD210G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 65 МГц, 1.4 Вт, 5 А, 3 hFE
The MJD210G is a 5A PNP bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications.
- Complementary device
- High current-gain - bandwidth product (fT = 65MHz minimum @ IC = 100mA DC)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Авто
DC Ток Коллектора:
5А
DC Усиление Тока hFE:
3hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
25В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
1.4Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
65МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
