MJD122T4G (ON SEMICONDUCTOR)

F2317578
131,84 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
112,67 Р
78,10 Р
61,72 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MJD122T4G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Нет в наличии
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJD122T4G Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE

The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
  • Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
  • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
  • Complementary pairs simplifies designs
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Авто

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
1000hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
20Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
4МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные