MJD117T4G (ON SEMICONDUCTOR)

F2441271
42,93 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
7500+
20000+
37500+
Цена
42,10 Р
41,26 Р
40,42 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MJD117T4G (ON SEMICONDUCTOR)" 2500.

Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 25 МГц, 1.75 Вт, -2 А, 12000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJD117T4G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 25 МГц, 1.75 Вт, -2 А, 12000 hFE

DC Ток Коллектора:
-2А
DC Усиление Тока hFE:
12000hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-100В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
1.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
25МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные