MJD112T4G (ON SEMICONDUCTOR)

F2441270
36,94 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
7500+
20000+
37500+
Цена
36,24 Р
35,41 Р
34,71 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MJD112T4G (ON SEMICONDUCTOR)" 2500.

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 12 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJD112T4G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 12 hFE

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
12hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
20Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
25МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные