2N6287G (ON SEMICONDUCTOR)

F2535605
1 342,74 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
Цена
1 230,73 Р
1 117,37 Р
1 066,09 Р
нет данных
 
Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 160 Вт, -20 А, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

Нет в наличии
БрендON SEMICONDUCTOR Наименование2N6287G Цена заШтука Страна производстваMexico СкладFarnell

Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 160 Вт, -20 А, 100 hFE

The 2N6287G is a -100V Silicon PNP Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
  • High DC current gain
  • Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 100VDC minimum)
  • Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
  • Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Области применения

Промышленное

DC Ток Коллектора:
-20А
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-100В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
160Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-3
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные