2N6287G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 160 Вт, -20 А, 100 hFE
The 2N6287G is a -100V Silicon PNP Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 100VDC minimum)
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Области применения
Промышленное
DC Ток Коллектора:
-20А
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
200°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-100В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
160Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-3
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да