BFP420FH6327XTSA1 (INFINEON)
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 25 ГГц, 210 мВт, 60 мА, 60 hFE
The BFP 420F H6327 is a NPN wideband silicon Bipolar RF Transistor designed for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition frequency is approximately 25GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 4.5GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.
- General purpose low-noise transistor
- Based on Infineon ?s reliable very high volume 25GHz silicon bipolar technology
- Popular in discrete oscillators
- Thin, small and flat with visible leads
- Halogen-free
Области применения
Промышленное, Радиочастотная Связь, Управление Питанием
DC Ток Коллектора:
60мА
DC Усиление Тока hFE:
60hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
TSFP
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
4.5В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
210мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
25ГГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да