IS61LV5128AL-10TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI))

F1077676
нет данных
 
ИС, SRAM, 4Мбит, 512К x 8бит, 10нс время доступа, 3.135В до 3.6В питание, TSOP-44

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) НаименованиеIS61LV5128AL-10TLI Цена заШтука Страна производстваTaiwan СкладFarnell

ИС, SRAM, 4Мбит, 512К x 8бит, 10нс время доступа, 3.135В до 3.6В питание, TSOP-44

The IS61LV5128AL-10TLI is a 512K x 8 very high-speed low power high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized by 524288-word by 8-bit. The IS61LV5128AL is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 250µW typical with CMOS input levels. The IS61LV5128AL operates from a single 3.3V power supply and all inputs are TTL-compatible.
  • High-speed access times - 10ns
  • High-performance, low-power CMOS process
  • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
  • Easy memory expansion with CE and OE
  • CE Power-down
  • Fully static operation: no clock or refresh required
  • TTL compatible inputs and outputs
  • Single 3.3V power supply

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника

Время Доступа:
10нс
Диапазон Напряжения Питания:
3.135В до 3.6В
Количество Выводов:
44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:
512К x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Размер Памяти:
4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары