Мск: 8 (495) 281-51-61
СПб: 8 (812) 320-88-25
Контакты
Перезвонить
Каталог продукции
0 Ваша Корзина

Память

Популярные выше
50 На страницу
FM25C160B-GTR (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
F2772915
Ферроэлектрическая RAM (FRAM), 16Кбит (2К x 8) SPI, 20МГц, 4.5В до 5.5В питание, SOIC-8

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Организация Памяти:2К x 8бит
Размер Памяти:16Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тактовая Частота:20МГц
Тип Интерфейса ИС:SPI
172,16 Р (включая НДС 20%)
1285 шт.
Отложить Сравнить
A25L032M-F (AMIC)
F1907087
Флеш память, двойной I/O, низкое напряжение, Последовательная NOR, 32 Мбит, 32М x 1бит

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:-
Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:32М x 1бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:32Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOP
Тактовая Частота:100МГц
Тип Flash Памяти:Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:Последовательный, SPI
554,42 Р (включая НДС 20%)
83 шт.
Отложить Сравнить
A25L080M-F (AMIC)
F1907082
Флеш память, низковольтная, Последовательная NOR, 8 Мбит, 8М x 1бит, Последовательный, SPI, SOP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:-
Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:8М x 1бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOP
Тактовая Частота:100МГц
Тип Flash Памяти:Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:Последовательный, SPI
79,64 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
MT41K128M16JT-125 XIT (MICRON)
F2253735
SDRAM, DDR3, 128М х 16бит, 1.25нс, FBGA-96

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:1.25нс
Количество Выводов:96вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:128М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:95°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
837,84 Р (включая НДС 20%)
1326 шт.
Отложить Сравнить
LY62256SL-70LL (LYONTEK)
F2253657
SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 2.7В до 5.5В, SOIC, 28 вывод(-ов), 70 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:70нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 5.5В
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
243,87 Р (включая НДС 20%)
435 шт.
Отложить Сравнить
SFCF4096H2BU4TO-I-MS-527-STD (SWISSBIT)
F2425902
Карта флеш-памяти, серия C-440, compact flash, тип I, 4ГБ

Документация
Technical Data Sheet EN
Manufacturer Product Page EN
Manufacturer Catalogue EN

Объём памяти:4ГБ
Пустой Носитель Флеш-памяти:Compact Flash Карта, типа I
9 716,65 Р (включая НДС 20%)
75 шт.
Отложить Сравнить
CE02TFNDV-FD000-D. (DELKIN DEVICES)
F2904069
MEMORY CARD, COMPACT FLASH, 2GB, SLC

Документация
Technical Data Sheet EN

Объём памяти:2ГБ
Пустой Носитель Флеш-памяти:Compact Flash Card, Type I
7 381,03 Р (включая НДС 20%)
38 шт.
Отложить Сравнить
LY62W20488ML-55LLI (LYONTEK)
F2253669
SRAM, 16 Мбит, 2М x 8бит, 2.7В до 5.5В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:55нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 5.5В
Количество Выводов:44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:2М x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:16Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
2 945,48 Р (включая НДС 20%)
15 шт.
Отложить Сравнить
SFCA16GBH2BV4TO-I-QT-226-STD (SWISSBIT)
F2425933
Карта флеш-памяти, F-240, серия CFast, промышленная, 16ГБ

Документация
Technical Data Sheet EN

Объём памяти:16ГБ
Пустой Носитель Флеш-памяти:CFast Карта, Промышленная
23 434,27 Р (включая НДС 20%)
108 шт.
Отложить Сравнить
M48Z02-70PC1 (STMICROELECTRONICS)
F9755748
NVRAM, SRAM, 16 Кбит, 2К x 8бит, Параллельный, 70 нс, DIP

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Время Доступа:70нс
Количество Выводов:24вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:2К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Размер Памяти:16Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
Тип Памяти:SRAM
988,81 Р (включая НДС 20%)
611 шт.
Отложить Сравнить
25LC640A-E/SN (MICROCHIP)
F2098000
EEPROM, AEC-Q100, Serial SPI, 64 Кбит, 8К x 8бит, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN
Miscellaneous EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:8К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.5В
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тактовая Частота:10МГц
65,08 Р (включая НДС 20%)
543 шт.
Отложить Сравнить
93LC46B-I/P (MICROCHIP)
F1137344
EEPROM, Microwire, Serial Microwire, 1 Кбит, 64 x 16бит, 3 МГц, DIP, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN
Miscellaneous EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:64 x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.5В
Размер Памяти:1Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
Тактовая Частота:3МГц
28,92 Р (включая НДС 20%)
2347 шт.
Отложить Сравнить
DS1230Y-200+ (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS)
F2516516
NVRAM, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 200 нс, EDIP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:200нс
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:-
Тип Памяти:SRAM
2 660,43 Р (включая НДС 20%)
53 шт.
Отложить Сравнить
LY61L102416ALL-10I (LYONTEK)
F2409142
SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 2.7В до 3.6В, TSOP-I, 48 вывод(-ов), 10 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:10нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 3.6В
Количество Выводов:48вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:1М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:16Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-I
2 083,36 Р (включая НДС 20%)
40 шт.
Отложить Сравнить
SFCF0512H1BK1MT-I-MS-553-SMA (SWISSBIT)
F2425926
Карта флеш-памяти, серия C-300 Longevity, compact flash, тип I, 512МБ

Документация
Technical Data Sheet EN
Manufacturer Catalogue EN
Manufacturer Product Page EN

Объём памяти:512МБ
Пустой Носитель Флеш-памяти:Compact Flash Карта, типа I
2 706,37 Р (включая НДС 20%)
250 шт.
Отложить Сравнить
MB85RC64PNF-G-JNE1 (FUJITSU)
F1831994
NVRAM, FRAM, 64 Кбит, 8К x 8бит, I2C, 900 нс, SOP

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Время Доступа:900нс
Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:8К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOP
Тип Интерфейса ИС:I2C
Тип Памяти:FRAM
374,38 Р (включая НДС 20%)
244 шт.
Отложить Сравнить
IS61LV5128AL-10TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI))
F1077676
ИС, SRAM, 4Мбит, 512К x 8бит, 10нс время доступа, 3.135В до 3.6В питание, TSOP-44

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:10нс
Диапазон Напряжения Питания:3.135В до 3.6В
Количество Выводов:44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:512К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP
429,63 Р (включая НДС 20%)
290 шт.
Отложить Сравнить
FM31L278-G (RAMTRON)
F1688883
NVRAM, FRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 2-проводной, I2C, Последовательный, SOIC

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:-
Количество Выводов:14вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:2-проводной, I2C, Последовательный
Тип Памяти:FRAM
1 475,60 Р (включая НДС 20%)
125 шт.
Отложить Сравнить
FM33256B-G (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
F2103831
NVRAM, FRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, SPI, SOIC

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:-
Количество Выводов:14вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:SPI
Тип Памяти:FRAM
1 387,00 Р (включая НДС 20%)
257 шт.
Отложить Сравнить
S29GL256P10TFI010 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
F2646444
Флеш память, Последовательная NOR, 256 Мбит, 32М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:100нс
Количество Выводов:56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:32М x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:256Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP
Тактовая Частота:-
Тип Flash Памяти:Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
913,59 Р (включая НДС 20%)
146 шт.
Отложить Сравнить
LY62256RL-55LLI (LYONTEK)
F2253654
SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 2.7В до 5.5В, TSOP-I, 28 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:55нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 5.5В
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-I
301,03 Р (включая НДС 20%)
109 шт.
Отложить Сравнить
MT48LC8M16A2P-6A (MICRON)
F2253743
SDRAM, 8М х 16бит, 6нс, TSOP-II-54

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:6нс
Количество Выводов:54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:8М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:-
547,47 Р (включая НДС 20%)
1625 шт.
Отложить Сравнить
25LC160T-I/SN (MICROCHIP)
F2947725
EEPROM, Serial SPI, 16 Кбит, 2К x 8бит, 2 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:2К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.5В
Размер Памяти:16Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тактовая Частота:2МГц
76,55 Р (включая НДС 20%)
3300 шт.
Отложить Сравнить
LY62W5128WL-55LLI (LYONTEK)
F2253662
SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.7В до 5.5В, TSOP-II, 32 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:55нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 5.5В
Количество Выводов:32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:512К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
592,53 Р (включая НДС 20%)
602 шт.
Отложить Сравнить
A623308A-70SF (AMIC)
F9117245
SRAM, 64 Кбит, 8К x 8бит, 4.5В до 5.5В, DIP, 28 вывод(-ов), 70 нс

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Время Доступа:70нс
Диапазон Напряжения Питания:4.5В до 5.5В
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:8К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
693,50 Р (включая НДС 20%)
791 шт.
Отложить Сравнить
DS1230YP-70+ (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS)
F2516479
NVRAM, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 70 нс, PWRCP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:70нс
Количество Выводов:34вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:PWRCP
Тип Интерфейса ИС:-
Тип Памяти:SRAM
1 052,46 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
DS1225AD-85+ (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS)
F2516504
NVRAM, SRAM, 64 Кбит, 8К x 8бит, 85 нс, EDIP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:85нс
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:8К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:-
Тип Памяти:SRAM
1 835,21 Р (включая НДС 20%)
13 шт.
Отложить Сравнить
MT48LC16M16A2P-6A IT (MICRON)
F2253748
SDRAM, 16М х 16бит, 6нс, TSOP-II-54

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:6нс
Количество Выводов:54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:16М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:-
723,07 Р (включая НДС 20%)
926 шт.
Отложить Сравнить
AT25320B-SSHL-B (MICROCHIP)
F1841578
EEPROM, Serial SPI, 32 Кбит, 4К x 8бит, 20 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:4К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:1.8В
Размер Памяти:32Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тактовая Частота:20МГц
69,67 Р (включая НДС 20%)
1310 шт.
Отложить Сравнить
AS7C1026B-15JIN (ALLIANCE MEMORY)
F2103738
SRAM, 1 МБ, 64К x 16бит, 4.5В до 5.5В, SOJ, 44 вывод(-ов), 15 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:15нс
Диапазон Напряжения Питания:4.5В до 5.5В
Количество Выводов:44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:64К x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:1МБ
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOJ
320,08 Р (включая НДС 20%)
21 шт.
Отложить Сравнить
FM28V100-TG (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
F1688873
NVRAM, FRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, Параллельный, 60 нс, TSOP

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:60нс
Количество Выводов:32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2В
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
Тип Памяти:FRAM
2 199,58 Р (включая НДС 20%)
663 шт.
Отложить Сравнить
AT27C1024-45PU (MICROCHIP)
F1841587
EPROM, программируемая 1 раз, 45нс, 64K x 16бит, 1Мбит, 4.5В до 5.5В, DIP-40

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:45нс
Количество Выводов:40вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EPROM:64К x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
246,76 Р (включая НДС 20%)
242 шт.
Отложить Сравнить
23A1024-I/ST (MICROCHIP)
F2212148
SRAM, 1 МБ, 128К x 8бит, 1.7В до 2.2В, TSSOP, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN
Miscellaneous EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:-
Диапазон Напряжения Питания:1.7В до 2.2В
Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:1МБ
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSSOP
220,36 Р (включая НДС 20%)
146 шт.
Отложить Сравнить
AS6C1008-55PCN (ALLIANCE MEMORY)
F1562896
SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 2.7В до 5.5В, DIP, 32 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Время Доступа:55нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 5.5В
Количество Выводов:32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
279,12 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
LY62L205016ALL-55SLI (LYONTEK)
F2409140
SRAM, 32 Мбит, 2М x 16бит / 4М x 8бит, 2.7В до 3.6В, TSOP-I, 48 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:55нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 3.6В
Количество Выводов:48вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:2М x 16бит / 4М x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:32Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-I
3 511,33 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
DS1225AD-70IND+ (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS)
F2516503
NVRAM, SRAM, 64 Кбит, 8К x 8бит, 70 нс, EDIP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:70нс
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:8К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:-
Тип Памяти:SRAM
1 939,66 Р (включая НДС 20%)
42 шт.
Отложить Сравнить
DS1245W-150+ (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS)
F2517050
NVRAM, SRAM, 1 МБ, 128К x 8бит, 150 нс, EDIP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:150нс
Количество Выводов:32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:3В
Размер Памяти:1МБ
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:-
Тип Памяти:SRAM
3 046,07 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
AT17LV010-10JU (MICROCHIP)
F1971991
Память конфигурации ПЛИС, EEPROM, 1 Мбит, 10 МГц, 2-проводной, LCC, 20 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Количество Выводов:20вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:3В
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:LCC
Тактовая Частота:10МГц
Тип Интерфейса ИС:2-проводной
Тип Памяти:EEPROM
1 272,83 Р (включая НДС 20%)
82 шт.
Отложить Сравнить
MT47H128M16RT-25E:C (MICRON)
F2253734
SDRAM, DDR2, 128М х 16бит, 2.5нс, FBGA-84

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:2.5нс
Количество Выводов:84вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:128М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:-
3 111,49 Р (включая НДС 20%)
431 шт.
Отложить Сравнить
IS42S16160G-7TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI))
F2253829
DRAM, 16М х 16бит, 7нс, интерфейс LVTTL, TSOP-II-54

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:7нс
Количество Выводов:54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:16М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:LVTTL
402,96 Р (включая НДС 20%)
208 шт.
Отложить Сравнить
MT46V32M16P-5B:J (MICRON)
F2253731
SDRAM, DDR, 32М х 16бит, 5нс, TSOP-66

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:5нс
Количество Выводов:66вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:32М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP
Тип Интерфейса ИС:-
456,30 Р (включая НДС 20%)
714 шт.
Отложить Сравнить
S27KL0641DABHI023 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
F2749800
DRAM, 8М х 8bit, 36нс, интерфейс HyperBus, FBGA-24

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:36нс
Количество Выводов:24вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM:8М x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Страницы:-
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:HyperBus
480,90 Р (включая НДС 20%)
2151 шт.
Отложить Сравнить
93LC56/SN (MICROCHIP)
F1200028
EEPROM, Microwire, Serial Microwire, 2 Кбит, 256 x 8бит / 128 x 16бит, 2 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Miscellaneous EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:256 x 8бит / 128 x 16бит
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:2.5В
Размер Памяти:2Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тактовая Частота:2МГц
52,57 Р (включая НДС 20%)
549 шт.
Отложить Сравнить
ATAES132A-SHEQ-B (MICROCHIP)
F2490923
EEPROM, Serial SPI, 32 Кбит, 10 МГц, WSOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:-
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.5В
Размер Памяти:32Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:WSOIC
Тактовая Частота:10МГц
105,25 Р (включая НДС 20%)
25 шт.
Отложить Сравнить
S34ML02G100TFI000 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
F2148593
Флеш память, NAND, SLC NAND, 2 Гбит, 256М x 8бит, ONFI, TSOP, 48 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Время Доступа:20нс
Количество Выводов:48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:256М x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:2Гбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP
Тактовая Частота:-
Тип Flash Памяти:SLC NAND
Тип Интерфейса ИС:ONFI
561,24 Р (включая НДС 20%)
759 шт.
Отложить Сравнить
TS2GUSDC (TRANSCEND)
F2290242
Карта флеш-памяти, MicroSD, 2ГБ

Документация
Technical Data Sheet EN

Объём памяти:2ГБ
Пустой Носитель Флеш-памяти:MicroSD Карта
1 138,37 Р (включая НДС 20%)
1576 шт.
Отложить Сравнить
CAT25512VI-GT3 (ON SEMICONDUCTOR)
F2534351
EEPROM, Serial SPI, 512 Кбит, 64К x 8бит, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти EEPROM:64К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.5В
Размер Памяти:512Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тактовая Частота:10МГц
Тип упаковки:Разрезная лента
95,72 Р (включая НДС 20%)
2070 шт.
Отложить Сравнить
A25L040AM-F (AMIC)
F2366509
Флеш память, последовательная, низковольтная, Последовательная NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, SPI, SOP

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:-
Количество Выводов:8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:512К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOP
Тактовая Частота:100МГц
Тип Flash Памяти:Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:SPI
82,97 Р (включая НДС 20%)
53 шт.
Отложить Сравнить
LY62256PL-55LLI (LYONTEK)
F2253656
SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 2.7В до 5.5В, DIP, 28 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

Время Доступа:55нс
Диапазон Напряжения Питания:2.7В до 5.5В
Количество Выводов:28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
383,90 Р (включая НДС 20%)
579 шт.
Отложить Сравнить
SFCF4096H1BO2TO-I-D1-543-SMA (SWISSBIT)
F2425914
Карта флеш-памяти, серия C-320, compact flash, тип I, 4ГБ

Документация
Technical Data Sheet EN

Объём памяти:4ГБ
Пустой Носитель Флеш-памяти:Compact Flash Карта, типа I
11 145,57 Р (включая НДС 20%)
79 шт.
Отложить Сравнить
 Назад
1 2 3 4 5 6 7 8
Вперед  2 - 16
Фильтры товаров
Доступность
Бренд
    Еще
Упаковка
RoHS статус
Линейка Продукции
    Еще
Сбросить Закрыть