VNS1NV04DPTR-E (STMICROELECTRONICS)
МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ
The VNS1NV04DPTR-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Области применения
Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
-
Напряжение Измерения Rds(on):
5В
Напряжение Истока-стока Vds:
45В
Непрерывный Ток Стока:
1.7А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
500мВ
Рассеиваемая Мощность:
4Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.25Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
