HUF75339P3 (ON SEMICONDUCTOR)

F1095124
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 55 В, 0.012 Ом, 10 В, 4 В

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеHUF75339P3 Цена заШтука Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 55 В, 0.012 Ом, 10 В, 4 В

The HUF75339P3 is a 55V N-channel UltraFET Power MOSFET. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in portable and battery-operated products. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Peak current vs. pulse width curve
  • UIS Rated curve

Области применения

Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием

Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
55В
Непрерывный Ток Стока:
75А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.012Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да