FDS6690AS (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом, 10 В, 1.6 В
The FDS6690AS is a SyncFET™ N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC-to-DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS (ON) and low gate charge. It includes an integrated Schottky diode using Fairchild's monolithic SyncFET technology. The performance is as the low-side switch in a synchronous rectifier is close to the performance of the FDS6690A in parallel with a Schottky diode.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 16nC Typical low gate charge
Области применения
Управление Питанием, Промышленное
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
30В
Непрерывный Ток Стока:
10А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1.6В
Рассеиваемая Мощность:
2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.01Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
