FDS4675-F085 (ON SEMICONDUCTOR)

F2322608
нет данных
 
МОП-транзистор, P Канал, -11 А, -40 В, 0.01 Ом, -10 В, -1.4 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеFDS4675-F085 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, P Канал, -11 А, -40 В, 0.01 Ом, -10 В, -1.4 В

The FDS4675_F085 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (4.5 to 20V). It is suitable for load switch and battery protection application.
  • Fast switching speed
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High current and power handling capability
  • AEC-Q101 Qualified

Области применения

Управление Питанием, Авто, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-10В
Напряжение Истока-стока Vds:
-40В
Непрерывный Ток Стока:
-11А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-1.4В
Рассеиваемая Мощность:
1.4Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.01Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары