FGA25N120ANTDTU (ON SEMICONDUCTOR)

F1095025
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 50 А, 2.5 В, 312 Вт, 1.2 кВ, TO-3P, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеFGA25N120ANTDTU Цена заШтука Страна производстваUnited States СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 50 А, 2.5 В, 312 Вт, 1.2 кВ, TO-3P, 3 вывод(-ов)

FGA25N120ANTD от компании Fairchild является NPT траншейным БТИЗ 1200В 25А сквозного монтажа в корпусе TO-3P. БТИЗ обеспечивает превосходную проводимость, коммутационные характеристики, высокую лавинную надежность и простоту параллельной работы. Это устройство хорошо подходит для приложений с резонансным или мягким переключением.
  • Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 1.2кВ
  • Ток коллектора 50А при 25°C
  • Непрерывный прямой ток диода 50А при 25°C
  • Диапазон рабочей температуры перехода от - 55°C до 150°C
  • Максимальное рассеивание мощности 312Вт при 25°C
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.65В при Ic=50А
  • Максимальное прямое напряжение диода 3В при IF = 25А
  • Пиковый ток обратного восстановления диода 40А

Области применения

Управление Питанием, Потребительская Электроника, Переносные Устройства, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
50А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
312Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-3P
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да