PBSS4041SPN,115 (NEXPERIA)
Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 60 В, 2.3 Вт, 6.7 А, 500 hFE, SOIC
The PBSS4041SPN,115 is a NPN-PNP breakthrough-in small signal (BISS) Bipolar Transistor Array in a medium power surface-mount plastic package. It is suitable for use in battery-driven devices, charging circuits, load-switch and power switches. It utilizes required smaller printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors.
- Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- PBSS4041SP dual PNP complement
- PBSS4041SN dual NPN complement
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное
DC Ток Коллектора:
6.7А
DC Усиление Тока hFE:
500hFE
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
60В
Полярность Транзистора:
NPN, PNP
Рассеиваемая Мощность:
2.3Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOIC
Тип упаковки:
Катушка
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
