MMUN2215LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм
The MMUN2215LT1G is a NPN Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- 50V Collector-base voltage
- 50V Collector-emitter voltage
- 100mA Continuous collector current
Области применения
Промышленное, Авто, Управление Питанием
Количество Выводов:
3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-23
Линейка Продукции:
-
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:
100мА
Полярность Цифрового Транзистора:
Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:
-
Резистор На входе Базы R1:
10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
