MMBTA13LT1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2441385
5,65 Р
(включая НДС 20%)
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MMBTA13LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 3000.

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 225 мВт, 300 мА, 10000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMMBTA13LT1G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваUnited States СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 225 мВт, 300 мА, 10000 hFE

The MMBTA13LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Saves board space
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Авто

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
300мА
DC Усиление Тока hFE:
10000hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
30В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
225мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Катушка
Частота Перехода ft:
125МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные