MMBT4401LT1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2317866
3,78 Р
(включая НДС 20%)
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MMBT4401LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 3000.

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 40 В, 250 МГц, 225 мВт, 600 мА, 20 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Нет в наличии
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMMBT4401LT1G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 40 В, 250 МГц, 225 мВт, 600 мА, 20 hFE

The MMBT4401LT1G is a 40V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
  • Halogen-free/BFR-free
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable
  • 60VDC Collector to base voltage (VCBO)
  • 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
  • 900mADC Peak collector current
  • 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
600мА
DC Усиление Тока hFE:
20hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
40В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
225мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Катушка
Частота Перехода ft:
250МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные