MJE800G (ON SEMICONDUCTOR)

F2535638
86,32 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
71,24 Р
51,73 Р
43,16 Р
34,72 Р
Доступно: 1450 шт.
 
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 Вт, 4 А, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

1450 шт. за 3-4 недели*
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJE800G Цена заШтука Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 Вт, 4 А, 100 hFE

The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
  • Complementary device
  • Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
60В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
40Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-225
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные