MJD45H11TF (ON SEMICONDUCTOR)

F2464112
нет данных
 
Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 20 Вт, -8 А, 60 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

По запросу
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJD45H11TF Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 20 Вт, -8 А, 60 hFE

The MJD45H11TF is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for general purpose power and switching (such as output or driver stages) applications.
  • Lead formed for surface-mount application
  • Low collector emitter saturation voltage
  • Fast switching speeds

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

DC Ток Коллектора:
-8А
DC Усиление Тока hFE:
60hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-80В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
20Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
40МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки