MJD127G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 1.75 Вт, -8 А, 12 hFE
The MJD127G is a 8A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Авто
DC Ток Коллектора:
-8А
DC Усиление Тока hFE:
12hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-100В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
1.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
