BD676G (ON SEMICONDUCTOR)

F9557644
нет данных
 
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 45 В, 200 МГц, 40 Вт, 4 А, 750 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеBD676G Цена заШтука Страна производстваPhilippines СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 45 В, 200 МГц, 40 Вт, 4 А, 750 hFE

The BD676G is a -45V Silicon PNP Bipolar Darlington Plastic Medium Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction.
  • High DC current gain
  • Collector-base voltage (Vcbo = 45V)
  • Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Области применения

Промышленное

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
750hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
45В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
40Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-225AA
Частота Перехода ft:
200МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары