Мск: 8 (495) 281-51-61
СПб: 8 (812) 320-88-25
Контакты
Перезвонить
Каталог продукции
0 Ваша Корзина

Тиристоры

Популярные выше
50 На страницу
K2000G (LITTELFUSE)
F1827757
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 190 В, 215 В, 10 мкА, 1 А, DO-15, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:215В
Максимальный Ток Включения:10мкА
Минимальное Напряжение Включения:190В
Пиковый Прямой Ток:1А
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-15
112,52 Р (включая НДС 20%)
493 шт.
Отложить Сравнить
C106MG (LITTELFUSE)
F2535529
Тиристор, 600 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
69,80 Р (включая НДС 20%)
7276 шт.
Отложить Сравнить
BT169D,112 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1510734
Тиристор, 400 В, 200 мкА, 500 мА, 800 мА, TO-92, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:500мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:5мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8А
Средний Ток It:500мА
Стиль Корпуса Тиристора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):800мА
30,80 Р (включая НДС 20%)
4735 шт.

Минимальное количество для товара "BT169D,112 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
CS30-12IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080110
Тиристор, 1.2 кВ, 65 мА, 31 А, 49 А, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:65мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:270А
Средний Ток It:31А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-247AD
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):49А
484,42 Р (включая НДС 20%)
42 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 162/12 E (SEMIKRON)
F2423663
Модуль тиристора, последовательное подключение, 156А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:400мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:5.4кА
Средний Ток It:156А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):250А
4 420,82 Р (включая НДС 20%)
53 шт.
Отложить Сравнить
MCC310-16IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F2429718
Модуль тиристора, последовательное подключение, 320А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:140°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:150мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:9.2кА
Средний Ток It:320А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):500А
10 394,08 Р (включая НДС 20%)
14 шт.
Отложить Сравнить
MMO62-12IO6 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080119
Модуль тиристора, антипараллельный, 25А, 1200В

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:350А
Средний Ток It:25А
Тип SCR Модуля:Антипараллельный Кремниевый Тиристор
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):54А
1 829,93 Р (включая НДС 20%)
9 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 27/16 E (SEMIKRON)
F2423668
Модуль тиристора, последовательное подключение, 32А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:550А
Средний Ток It:32А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
2 825,47 Р (включая НДС 20%)
3 шт.
Отложить Сравнить
MAC97A6,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1757885
Триак, 400 В, 600 мА, TO-92, 7 мА, 2 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):600мА
33,85 Р (включая НДС 20%)
4116 шт.

Минимальное количество для товара "MAC97A6,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
NTE6412 (NTE ELECTRONICS)
F2817557
Breakover Voltage Vbo Min:56V

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:70В
Максимальный Ток Включения:25мкА
Минимальное Напряжение Включения:56В
Пиковый Прямой Ток:1.5А
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-35
112,52 Р (включая НДС 20%)
14 шт.
Отложить Сравнить
TN1215-600G-TR (STMICROELECTRONICS)
F2629724
Тиристор, 600 В, 15 мА, 8 А, 12 А, TO-263, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:15мА
Максимальный Ток Удержания Ih:30мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:145А
Средний Ток It:8А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-263
Тип упаковки:Разрезная лента
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
154,48 Р (включая НДС 20%)
489 шт.
Отложить Сравнить
NTE5577 (NTE ELECTRONICS)
F2103720
THYRISTOR, 125A, 600V, TO-83-3

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:200мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:125мА
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:1.4кА
Средний Ток It:70А
Тип SCR Модуля:Single SCR
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):125А
14 780,57 Р (включая НДС 20%)
4 шт.
Отложить Сравнить
BTB16-600BWRG (STMICROELECTRONICS)
F1653491
Триак, 600 В, 16 А, TO-220AB, 50 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:160А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):16А
152,57 Р (включая НДС 20%)
1990 шт.
Отложить Сравнить
MCO100-12IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080130
Модуль тиристора, 99А, 1200В

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:1.4кА
Средний Ток It:99А
Тип SCR Модуля:Одиночный Кремниевый Тиристор
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):156А
1 664,01 Р (включая НДС 20%)
30 шт.
Отложить Сравнить
TYN616RG (STMICROELECTRONICS)
F2341674
Тиристор, 600 В, 25 мА, 10 А, 16 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:25мА
Максимальный Ток Удержания Ih:40мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:200А
Средний Ток It:10А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):16А
130,64 Р (включая НДС 20%)
749 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 27/12 E (SEMIKRON)
F2423667
Модуль тиристора, последовательное подключение, 25А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:-
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:-
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:550А
Средний Ток It:25А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
5 143,64 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
TPDV1225RG (STMICROELECTRONICS)
F1057304
Триак, симистор, 1.2 кВ, 25 А, 150 мА, 1.5 В, 40 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:40Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:390А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):25А
924,02 Р (включая НДС 20%)
1054 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 92/12 E (SEMIKRON)
F2423677
Модуль тиристора, последовательное подключение, 95А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:2кА
Средний Ток It:95А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):150А
4 830,86 Р (включая НДС 20%)
76 шт.
Отложить Сравнить
SKKH 92/12 E (SEMIKRON)
F2423656
Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 95А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:2кА
Средний Ток It:95А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):150А
5 401,11 Р (включая НДС 20%)
11 шт.
Отложить Сравнить
MMO74-12IO6 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080122
Модуль тиристора, антипараллельный, 34А, 1200В

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:520А
Средний Ток It:34А
Тип SCR Модуля:Антипараллельный Кремниевый Тиристор
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):53А
1 706,92 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
T835-600G (STMICROELECTRONICS)
F9910751
Триак, 600 В, 8 А, 35 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:80А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):8А
155,43 Р (включая НДС 20%)
1332 шт.
Отложить Сравнить
TYN1225RG (STMICROELECTRONICS)
F2629725
Тиристор, 1.2 кВ, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:40мА
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:314А
Средний Ток It:16А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):25А
289,89 Р (включая НДС 20%)
336 шт.
Отложить Сравнить
FT0618MH00TU (FAGOR ELECTRONICA)
F2575840
Триак, PNPN, 600 В, 6 А, TO-220AB, 25 мА, 1.3 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:25мА
Пиковая Мощность Затвора:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):6А
86,59 Р (включая НДС 20%)
20 шт.
Отложить Сравнить
CS20-12IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080108
Тиристор, 1.2 кВ, 65 мА, 19 А, 30 А, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:65мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:180А
Средний Ток It:19А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-247AD
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):30А
495,86 Р (включая НДС 20%)
47 шт.
Отложить Сравнить
Z0107NA/DG,116 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F2074998
Триак, 800 В, 1 А, TO-92, 7 мА, 1.3 В, 2 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:2Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8.5А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1А
32,99 Р (включая НДС 20%)
10479 шт.

Минимальное количество для товара "Z0107NA/DG,116 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
BTA06-600BWRG (STMICROELECTRONICS)
F1057266
Триак, 600 В, 6 А, 50 мА, 1.5 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):6А
137,32 Р (включая НДС 20%)
1479 шт.
Отложить Сравнить
BTA16-600SWRG (STMICROELECTRONICS)
F1057280
Триак, 600 В, 16 А, TO-220AB, 10 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:15мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:160А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):16А
184,04 Р (включая НДС 20%)
13270 шт.
Отложить Сравнить
BTW69-800RG (STMICROELECTRONICS)
F1057302
Тиристор, 800 В, 80 мА, 32 А, 50 А, TOP-3

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:80мА
Максимальный Ток Удержания Ih:150мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:580А
Средний Ток It:32А
Стиль Корпуса Тиристора:TOP-3
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
699,93 Р (включая НДС 20%)
294 шт.
Отложить Сравнить
C106BG (LITTELFUSE)
F2762794
Тиристор, 200 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:200В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:-
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
62,08 Р (включая НДС 20%)
221 шт.
Отложить Сравнить
ACT102H-600D,118 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1972405
Триак, 600 В, 200 мА, SOIC, 5 мА, 900 мВ, 2 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:-
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:900мВ
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковая Мощность Затвора:2Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8А
Стиль Корпуса Симистора:SOIC
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):200мА
35,57 Р (включая НДС 20%)
2315 шт.

Минимальное количество для товара "ACT102H-600D,118 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
SMDB3 (STMICROELECTRONICS)
F1689300
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 28 В, 36 В, 50 мкА, SOT-23, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:36В
Максимальный Ток Включения:50мкА
Минимальное Напряжение Включения:28В
Пиковый Прямой Ток:-
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:SOT-23
Тип упаковки:Разрезная лента
48,16 Р (включая НДС 20%)
3439 шт.

Минимальное количество для товара "SMDB3 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
K2401GRP (LITTELFUSE)
F1827761
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 220 В, 250 В, 10 мкА, 1 А, DO-15, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:250В
Максимальный Ток Включения:10мкА
Минимальное Напряжение Включения:220В
Пиковый Прямой Ток:1А
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-15
164,02 Р (включая НДС 20%)
694 шт.
Отложить Сравнить
BT131-600,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1757879
Триак, 600 В, 1 А, TO-92, 7 мА, 1.5 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:5мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:13.8А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1А
33,57 Р (включая НДС 20%)
1100 шт.

Минимальное количество для товара "BT131-600,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
T435-700B-TR (STMICROELECTRONICS)
F2629730
Триак, 700 В, 4 А, TO-252, 35 мА, 1.3 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:700В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:30А
Стиль Корпуса Симистора:TO-252
Тип упаковки:Разрезная лента
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
109,66 Р (включая НДС 20%)
4140 шт.
Отложить Сравнить
Z0410MF 1AA2 (STMICROELECTRONICS)
F2629733
Триак, 600 В, 4 А, TO-202, 25 мА, 1.3 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:25мА
Пиковая Мощность Затвора:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Стиль Корпуса Симистора:TO-202
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
74,48 Р (включая НДС 20%)
3840 шт.

Минимальное количество для товара "Z0410MF 1AA2 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
NTE5463 (NTE ELECTRONICS)
F1530654
SCR THYRISTOR, 10A, 200V, TO-220

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:100°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:15мА
Максимальный Ток Удержания Ih:20мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:200В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:100А
Средний Ток It:-
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):10А
273,68 Р (включая НДС 20%)
4 шт.
Отложить Сравнить
BTA16-800BRG (STMICROELECTRONICS)
F1057281
Триак, 800 В, 16 А, TO-220AB, 50 мА, 1.5 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:160А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):16А
186,90 Р (включая НДС 20%)
2269 шт.
Отложить Сравнить
BTB04-600SL (STMICROELECTRONICS)
F9910522
Триак, 600 В, 4 А, TO-220AB, 25 мА, 1.3 В, 500 мВт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:15мА
Пиковая Мощность Затвора:500мВт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:35А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
89,26 Р (включая НДС 20%)
1590 шт.
Отложить Сравнить
BTA06-600TWRG (STMICROELECTRONICS)
F1057267
Триак, 600 В, 6 А, TO-220AB, 5 мА, 1.5 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):6А
134,46 Р (включая НДС 20%)
754 шт.
Отложить Сравнить
T1235H-6G (STMICROELECTRONICS)
F1689346
Триак, 600 В, 12 А, TO-263, 35 мА, 1 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:120А
Стиль Корпуса Симистора:TO-263
Тип упаковки:Разрезная лента
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
183,09 Р (включая НДС 20%)
2693 шт.
Отложить Сравнить
ACST310-8FP (STMICROELECTRONICS)
F2522913
Триак, 800 В, 3 А, TO-220FPAB, 10 мА, 1.1 В, 10 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.1В
Максимальный Ток Удержания Ih:20мА
Пиковая Мощность Затвора:10Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220FPAB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):3А
85,25 Р (включая НДС 20%)
72 шт.
Отложить Сравнить
C106DG (LITTELFUSE)
F2101366
Тиристор, 400 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
65,03 Р (включая НДС 20%)
4638 шт.
Отложить Сравнить
NTE5599 (NTE ELECTRONICS)
F2192409
THYRISTOR, SCR, 1.88KA, 1.2KV, TO-200AD

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мА
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:24.65кА
Средний Ток It:1.2кА
Тип SCR Модуля:Single SCR
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1.88кА
43 006,68 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 162/14 E (SEMIKRON)
F2423664
Модуль тиристора, последовательное подключение, 156А, 1.4кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:-
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:-
Максимальный Ток Удержания Ih:400мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.4кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:5.4кА
Средний Ток It:156А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):250А
9 821,92 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
BT134W-600D,115 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F2902340
Триак, 600 В, 1 А, SOT-223, 10 мА, 1 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Packaging / Drawing / Footprint EN

Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:11А
Стиль Корпуса Симистора:SOT-223
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1А
42,91 Р (включая НДС 20%)
9839 шт.

Минимальное количество для товара "BT134W-600D,115 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
BTB06-600CRG (STMICROELECTRONICS)
F9910557
Триак, 600 В, 8 А, TO-220AB, 50 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:25мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):8А
127,78 Р (включая НДС 20%)
749 шт.
Отложить Сравнить
Z0405MF 1AA2 (STMICROELECTRONICS)
F9804617
Триак, 600 В, 4 А, TO-202, 5 мА, 1.3 В, 200 мВт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:5мА
Пиковая Мощность Затвора:200мВт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Стиль Корпуса Симистора:TO-202
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
78,38 Р (включая НДС 20%)
3811 шт.

Минимальное количество для товара "Z0405MF 1AA2 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
BTA08-800CW3G (LITTELFUSE)
F2630409
Триак, 800 В, 8 А, TO-220AB, 35 мА, 1.7 В, 20 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.7В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:20Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:90А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):8А
164,02 Р (включая НДС 20%)
380 шт.
Отложить Сравнить
DB4 (STMICROELECTRONICS)
F9946292
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 35 В, 45 В, 100 мкА, 300 мА, DO-35, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:45В
Максимальный Ток Включения:100мкА
Минимальное Напряжение Включения:35В
Пиковый Прямой Ток:300мА
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-35
35,85 Р (включая НДС 20%)
8387 шт.

Минимальное количество для товара "DB4 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
C106M1G (LITTELFUSE)
F9556508
Тиристор, 600 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
65,03 Р (включая НДС 20%)
12877 шт.
Отложить Сравнить
 Назад
1 2 3 4 5 6 7 8
Вперед  2 - 16
Фильтры товаров
Доступность
Бренд
    Еще
Упаковка
RoHS статус
Линейка Продукции
    Еще
Сбросить Закрыть