Мск: 8 (495) 281-51-61
СПб: 8 (812) 320-88-25
Контакты
Перезвонить
Каталог продукции
0 Ваша Корзина

Тиристоры

Популярные выше
50 На страницу
C106MG (LITTELFUSE)
F2535529
Тиристор, 600 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
61,14 Р (включая НДС 20%)
4242 шт.
Отложить Сравнить
BT169D,112 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1510734
Тиристор, 400 В, 200 мкА, 500 мА, 800 мА, TO-92, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:500мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:5мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8А
Средний Ток It:500мА
Стиль Корпуса Тиристора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):800мА
28,91 Р (включая НДС 20%)
4920 шт.

Минимальное количество для товара "BT169D,112 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
K2000G (LITTELFUSE)
F1827757
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 190 В, 215 В, 10 мкА, 1 А, DO-15, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:215В
Максимальный Ток Включения:10мкА
Минимальное Напряжение Включения:190В
Пиковый Прямой Ток:1А
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-15
98,82 Р (включая НДС 20%)
360 шт.
Отложить Сравнить
MAC97A6,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1757885
Триак, 400 В, 600 мА, TO-92, 7 мА, 2 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):600мА
31,86 Р (включая НДС 20%)
4031 шт.

Минимальное количество для товара "MAC97A6,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
CS30-12IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080110
Тиристор, 1.2 кВ, 65 мА, 31 А, 49 А, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:65мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:270А
Средний Ток It:31А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-247AD
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):49А
450,69 Р (включая НДС 20%)
120 шт.
Отложить Сравнить
MCC310-16IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F2429718
Модуль тиристора, последовательное подключение, 320А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:140°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:150мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:9.2кА
Средний Ток It:320А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):500А
10 066,66 Р (включая НДС 20%)
14 шт.
Отложить Сравнить
TYN616RG (STMICROELECTRONICS)
F2341674
Тиристор, 600 В, 25 мА, 10 А, 16 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:25мА
Максимальный Ток Удержания Ih:40мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:200А
Средний Ток It:10А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):16А
126,53 Р (включая НДС 20%)
650 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 92/12 E (SEMIKRON)
F2423677
Модуль тиристора, последовательное подключение, 95А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:2кА
Средний Ток It:95А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):150А
4 771,97 Р (включая НДС 20%)
56 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 106/12 E (SEMIKRON)
F2423657
Модуль тиристора, последовательное подключение, 106А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:130°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:22.5кА
Средний Ток It:106А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):180А
6 274,58 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 27/12 E (SEMIKRON)
F2423667
Модуль тиристора, последовательное подключение, 25А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:-
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:-
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:550А
Средний Ток It:25А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
5 081,35 Р (включая НДС 20%)
20 шт.
Отложить Сравнить
TPDV1225RG (STMICROELECTRONICS)
F1057304
Триак, симистор, 1.2 кВ, 25 А, 150 мА, 1.5 В, 40 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:40Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:390А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):25А
894,92 Р (включая НДС 20%)
1015 шт.
Отложить Сравнить
C106BG (LITTELFUSE)
F2762794
Тиристор, 200 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:200В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:-
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
54,30 Р (включая НДС 20%)
190 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 162/12 E (SEMIKRON)
F2423663
Модуль тиристора, последовательное подключение, 156А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:400мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:5.4кА
Средний Ток It:156А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):250А
4 367,45 Р (включая НДС 20%)
46 шт.
Отложить Сравнить
BTA312Y-600C,127 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1524134
Триак, 600 В, 12 А, TO-220, 1.5 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:100А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
116,37 Р (включая НДС 20%)
2335 шт.
Отложить Сравнить
C106DG (LITTELFUSE)
F2101366
Тиристор, 400 В, 200 мкА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:110°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:800мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:3мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Средний Ток It:2.55А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-225AA
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
57,08 Р (включая НДС 20%)
4297 шт.
Отложить Сравнить
MCO100-12IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080130
Модуль тиристора, 99А, 1200В

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:1.4кА
Средний Ток It:99А
Тип SCR Модуля:Одиночный Кремниевый Тиристор
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):156А
1 592,19 Р (включая НДС 20%)
47 шт.
Отложить Сравнить
BTB16-600BWRG (STMICROELECTRONICS)
F1653491
Триак, 600 В, 16 А, TO-220AB, 50 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:160А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):16А
147,77 Р (включая НДС 20%)
1849 шт.
Отложить Сравнить
FT0618MH00TU (FAGOR ELECTRONICA)
F2575840
Триак, PNPN, 600 В, 6 А, TO-220AB, 25 мА, 1.3 В

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:25мА
Пиковая Мощность Затвора:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):6А
85,52 Р (включая НДС 20%)
20 шт.

Минимальное количество для товара "FT0618MH00TU (FAGOR ELECTRONICA)" 5.

Отложить Сравнить
NTE6412 (NTE ELECTRONICS)
F2817557
Breakover Voltage Vbo Min:56V

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:70В
Максимальный Ток Включения:25мкА
Минимальное Напряжение Включения:56В
Пиковый Прямой Ток:1.5А
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-35
105,28 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
NTE5599 (NTE ELECTRONICS)
F2192409
THYRISTOR, SCR, 1.88KA, 1.2KV, TO-200AD

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мА
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:24.65кА
Средний Ток It:1.2кА
Тип SCR Модуля:Single SCR
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1.88кА
48 291,47 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
BT131-600,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1757879
Триак, 600 В, 1 А, TO-92, 7 мА, 1.5 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:5мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:13.8А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1А
31,31 Р (включая НДС 20%)
1080 шт.

Минимальное количество для товара "BT131-600,412 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
MMO62-12IO6 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080119
Модуль тиристора, антипараллельный, 25А, 1200В

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:350А
Средний Ток It:25А
Тип SCR Модуля:Антипараллельный Кремниевый Тиристор
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):54А
1 565,41 Р (включая НДС 20%)
30 шт.
Отложить Сравнить
BTA06-600BWRG (STMICROELECTRONICS)
F1057266
Триак, 600 В, 6 А, 50 мА, 1.5 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):6А
132,99 Р (включая НДС 20%)
1149 шт.
Отложить Сравнить
NTE5438 (NTE ELECTRONICS)
F1566372
SCR THYRISTOR, 5.1A, 600V, TO-220

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мкА
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:80А
Средний Ток It:5.1А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):8А
389,45 Р (включая НДС 20%)
37 шт.
Отложить Сравнить
TN1215-600G-TR (STMICROELECTRONICS)
F2629724
Тиристор, 600 В, 15 мА, 8 А, 12 А, TO-263, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:15мА
Максимальный Ток Удержания Ih:30мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:145А
Средний Ток It:8А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-263
Тип упаковки:Разрезная лента
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
149,61 Р (включая НДС 20%)
407 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 27/16 E (SEMIKRON)
F2423668
Модуль тиристора, последовательное подключение, 32А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:550А
Средний Ток It:32А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
2 790,96 Р (включая НДС 20%)
60 шт.
Отложить Сравнить
T1235H-6G (STMICROELECTRONICS)
F1689346
Триак, 600 В, 12 А, TO-263, 35 мА, 1 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:120А
Стиль Корпуса Симистора:TO-263
Тип упаковки:Разрезная лента
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
169,93 Р (включая НДС 20%)
2528 шт.
Отложить Сравнить
T835-600G (STMICROELECTRONICS)
F9910751
Триак, 600 В, 8 А, 35 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:80А
Стиль Корпуса Симистора:-
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):8А
145,00 Р (включая НДС 20%)
1117 шт.
Отложить Сравнить
SKKH 92/12 E (SEMIKRON)
F2423656
Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 95А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:250мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:2кА
Средний Ток It:95А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):150А
5 335,33 Р (включая НДС 20%)
11 шт.
Отложить Сравнить
BTB06-600CRG (STMICROELECTRONICS)
F9910557
Триак, 600 В, 8 А, TO-220AB, 50 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:25мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:60А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):8А
119,14 Р (включая НДС 20%)
748 шт.
Отложить Сравнить
TT280N16SOFHPSA1 (INFINEON)
F2781012
Модуль тиристора, последовательное подключение, 520А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

Максимальная Рабочая Температура:130°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:150мА
Максимальный Ток Удержания Ih:150мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:9кА
Средний Ток It:280А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):520А
7 144,56 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
BT134W-600D,115 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F2902340
Триак, 600 В, 1 А, SOT-223, 10 мА, 1 В, 5 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Packaging / Drawing / Footprint EN

Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:11А
Стиль Корпуса Симистора:SOT-223
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1А
41,56 Р (включая НДС 20%)
9634 шт.

Минимальное количество для товара "BT134W-600D,115 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
BTW69-800RG (STMICROELECTRONICS)
F1057302
Тиристор, 800 В, 80 мА, 32 А, 50 А, TOP-3

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:80мА
Максимальный Ток Удержания Ih:150мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:580А
Средний Ток It:32А
Стиль Корпуса Тиристора:TOP-3
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):50А
677,88 Р (включая НДС 20%)
997 шт.
Отложить Сравнить
TYN1225RG (STMICROELECTRONICS)
F2629725
Тиристор, 1.2 кВ, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:40мА
Максимальный Ток Удержания Ih:50мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:314А
Средний Ток It:16А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):25А
280,76 Р (включая НДС 20%)
193 шт.
Отложить Сравнить
NTE5577 (NTE ELECTRONICS)
F2103720
THYRISTOR, 125A, 600V, TO-83-3

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:200мВ
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:125мА
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:1.4кА
Средний Ток It:70А
Тип SCR Модуля:Single SCR
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):125А
16 690,60 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
T435-700B-TR (STMICROELECTRONICS)
F2629730
Триак, 700 В, 4 А, TO-252, 35 мА, 1.3 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:700В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:30А
Стиль Корпуса Симистора:TO-252
Тип упаковки:Разрезная лента
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
106,21 Р (включая НДС 20%)
4054 шт.
Отложить Сравнить
2N6509G (LITTELFUSE)
F9557202
Тиристор, 800 В, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:40мА
Максимальный Ток Удержания Ih:40мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:250А
Средний Ток It:16А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):25А
136,68 Р (включая НДС 20%)
822 шт.
Отложить Сравнить
BTB04-600SL (STMICROELECTRONICS)
F9910522
Триак, 600 В, 4 А, TO-220AB, 25 мА, 1.3 В, 500 мВт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:15мА
Пиковая Мощность Затвора:500мВт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:35А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
88,20 Р (включая НДС 20%)
1525 шт.
Отложить Сравнить
Q4025L6TP (LITTELFUSE)
F2762788
Триак, 400 В, 25 А, TO-220AB, 80 мА, 1.3 В, 500 мВт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковая Мощность Затвора:500мВт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:400В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:208А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):25А
291,84 Р (включая НДС 20%)
206 шт.
Отложить Сравнить
TT330N16KOFHPSA2 (INFINEON)
F2709937
Модуль тиристора, последовательное подключение, 520А, 1.6кВ

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Максимальная Рабочая Температура:130°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:200мА
Максимальный Ток Удержания Ih:300мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.6кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:12.5кА
Средний Ток It:330А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):520А
13 483,78 Р (включая НДС 20%)
14 шт.
Отложить Сравнить
T1235-800G-TR (STMICROELECTRONICS)
F2341686
Триак, 800 В, 12 А, TO-263, 35 мА, 1.3 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:120А
Стиль Корпуса Симистора:TO-263
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
138,53 Р (включая НДС 20%)
540 шт.
Отложить Сравнить
CS20-12IO1 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F1080108
Тиристор, 1.2 кВ, 65 мА, 19 А, 30 А, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:65мА
Максимальный Ток Удержания Ih:100мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:180А
Средний Ток It:19А
Стиль Корпуса Тиристора:TO-247AD
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):30А
423,91 Р (включая НДС 20%)
32 шт.
Отложить Сравнить
ACT102H-600D,118 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F1972405
Триак, 600 В, 200 мА, SOIC, 5 мА, 900 мВ, 2 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:-
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:900мВ
Максимальный Ток Удержания Ih:-
Пиковая Мощность Затвора:2Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8А
Стиль Корпуса Симистора:SOIC
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):200мА
32,42 Р (включая НДС 20%)
2235 шт.

Минимальное количество для товара "ACT102H-600D,118 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
DB4 (STMICROELECTRONICS)
F9946292
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 35 В, 45 В, 100 мкА, 300 мА, DO-35, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:45В
Максимальный Ток Включения:100мкА
Минимальное Напряжение Включения:35В
Пиковый Прямой Ток:300мА
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-35
33,71 Р (включая НДС 20%)
2947 шт.

Минимальное количество для товара "DB4 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
2N4992 (SOLID STATE)
F1829902
BILATERAL SWITCH, 5MA,TO-92

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:-
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:-
Максимальный Ток Удержания Ih:500мА
Пиковая Мощность Затвора:300мВт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:-
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:1А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):200мА
267,05 Р (включая НДС 20%)
103 шт.
Отложить Сравнить
K2401GRP (LITTELFUSE)
F1827761
Диак / выпрямительный кремниевый диод, 220 В, 250 В, 10 мкА, 1 А, DO-15, 2 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:2вывод(-ов)
Максимальное Напряжение Включения:250В
Максимальный Ток Включения:10мкА
Минимальное Напряжение Включения:220В
Пиковый Прямой Ток:1А
Стиль Корпуса DIAC / SIDAC:DO-15
151,46 Р (включая НДС 20%)
694 шт.
Отложить Сравнить
SKKT 162/14 E (SEMIKRON)
F2423664
Модуль тиристора, последовательное подключение, 156А, 1.4кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:-
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:-
Максимальный Ток Удержания Ih:400мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:1.4кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:5.4кА
Средний Ток It:156А
Тип SCR Модуля:Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):250А
9 697,24 Р (включая НДС 20%)
9 шт.
Отложить Сравнить
Z0107NA/DG,116 (WEEN SEMICONDUCTOR)
F2074998
Триак, 800 В, 1 А, TO-92, 7 мА, 1.3 В, 2 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:10мА
Пиковая Мощность Затвора:2Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:8.5А
Стиль Корпуса Симистора:TO-92
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):1А
31,03 Р (включая НДС 20%)
10013 шт.

Минимальное количество для товара "Z0107NA/DG,116 (WEEN SEMICONDUCTOR)" 5.

Отложить Сравнить
T1235H-6T (STMICROELECTRONICS)
F1689348
Триак, 600 В, 12 А, TO-220AB, 35 мА, 1 В, 1 Вт

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1В
Максимальный Ток Удержания Ih:35мА
Пиковая Мощность Затвора:1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:120А
Стиль Корпуса Симистора:TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):12А
169,01 Р (включая НДС 20%)
16 шт.
Отложить Сравнить
Z0410MF 1AA2 (STMICROELECTRONICS)
F2629733
Триак, 600 В, 4 А, TO-202, 25 мА, 1.3 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:1.3В
Максимальный Ток Удержания Ih:25мА
Пиковая Мощность Затвора:-
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:20А
Стиль Корпуса Симистора:TO-202
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):4А
69,27 Р (включая НДС 20%)
3787 шт.

Минимальное количество для товара "Z0410MF 1AA2 (STMICROELECTRONICS)" 5.

Отложить Сравнить
 Назад
1 2 3 4 5 6 7 8
Вперед  2 - 16
Фильтры товаров
Доступность
Бренд
    Еще
Упаковка
RoHS статус
Линейка Продукции
    Еще
Сбросить Закрыть