MMBT2484LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 225 мВт, 100 мА, 250 hFE
The MMBT2484LT1G is a NPN Bipolar transistor designed for high gain, low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Package saves board space
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
100мА
DC Усиление Тока hFE:
250hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
MMBTxxxx Series
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
60В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
225мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да