NSS30101LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 710 мВт, 1 А, 200 hFE
The NSS30101LT1G is a 2A NPN Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
- High current
- ESD robust
- High current gain
- High cut-off frequency
- Low profile package
- Linear gain (Beta)
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Потребительская Электроника, Обработка Сигнала, Освещение
DC Ток Коллектора:
1А
DC Усиление Тока hFE:
200hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
30В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
710мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да