S34ML04G100TFI000 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)

F2148594
нет данных
 
Флеш память, NAND, SLC NAND, 4 Гбит, 512М x 8бит, ONFI, TSOP, 48 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендCYPRESS SEMICONDUCTOR НаименованиеS34ML04G100TFI000 Цена заШтука Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

Флеш память, NAND, SLC NAND, 4 Гбит, 512М x 8бит, ONFI, TSOP, 48 вывод(-ов)

S34ML04G100TFI000 является SLC NAND Flash память на 4ГБ. Она предлагается с 3.3VCC и VCCQ источниками питания и x8 или x16 I/O интерфейсом. Память разделена на блоки, которые могут быть стерты независимо друг от друга, так можно сохранить нужные данные, во время стирания старых данных. Размер страницы для х8 байты, а для х16 (1024 + 32) слова. Каждый блок может быть запрограммирован и удален до 100000 раз с кодом исправления ошибок (ECC). Чтобы продлить срок службы NAND Flash устройств, внедрение ECC является обязательным. Чип поддерживает функцию CE# «не важно». Эта функция позволяет напрямую загружать код с NAND Flash устройств при помощи микроконтроллера, поскольку переходы CE# не останавливают операцию считывания. Устройство обладает функцией считывания с кэшем, которая улучшает пропускную способность считывания больших файлов. Во время считывания, устройства загружают данные в кэш-регистр, а предыдущие данные передаются в буферы I/O для последующего считывания.
  • Соответствует Open NAND flash интерфейсу 1.0
  • Адрес, данные и команды мультиплексированы
  • Безопасность - одноразовая зона программирования
  • Во время перехода питания аппаратное программирование/стирание отключено
  • Поддержка многослойного программирования и удаления
  • Поддержка копирования программ
  • Электронная подпись - ID производителя 00ч
  • Считывание страниц/программ
  • Стирание блоками - типичное время стирания 3.5мс
  • Надежность - типичное значение хранения данных 10 лет
  • Блоки 0 и 1 действительны и будут действительными не менее 1000 циклов с кодом коррекции ошибок (ECC)

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника, Авто

Время Доступа:
20нс
Количество Выводов:
48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
512М x 8бит
Линейка Продукции:
3V SLC NAND Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
4Гбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
SLC NAND
Тип Интерфейса ИС:
ONFI
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары