0 Ваша Корзина

Энергонезависимая SRAM - NVSRAM

F2932646
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 45ns Read/Write, Parallel , 2.7V to 3.6V, SOIC-32

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:32вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 907,63 Р (включая НДС 20%)
54 шт.
Отложить Сравнить
F2798718
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:28вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.25В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Организация Памяти:8К x 8бит
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 736,94 Р (включая НДС 20%)
36 шт.
Отложить Сравнить
F2807112
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Кбит, 2К x 8бит, побайтовый интерфейс, 4.5В до 5.5В, DIP-24

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:24вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Организация Памяти:2К x 8бит
Размер Памяти:16Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:DIP
Тип Интерфейса ИС:Bytewide
913,87 Р (включая НДС 20%)
70 шт.
Отложить Сравнить
F2772928
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:44вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:64К x 16бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 741,21 Р (включая НДС 20%)
187 шт.
Отложить Сравнить
F2932636
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 64K x 16bit, 45ns Read/Write, SPI, 2.7V to 3.6V, SOIC-8

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:SPI
833,04 Р (включая НДС 20%)
180 шт.
Отложить Сравнить
F2749792
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:QSPI
595,30 Р (включая НДС 20%)
92 шт.
Отложить Сравнить
F2772936
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:48вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:32К x 8бит
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SSOP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 504,42 Р (включая НДС 20%)
60 шт.
Отложить Сравнить
F2772929
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:44вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:64К x 16бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 270,90 Р (включая НДС 20%)
45 шт.
Отложить Сравнить
F2749798
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:105°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:QSPI
1 077,44 Р (включая НДС 20%)
84 шт.
Отложить Сравнить
F2749797
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:QSPI
1 318,03 Р (включая НДС 20%)
18 шт.
Отложить Сравнить
F2772934
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:48вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:512К x 16бит
Размер Памяти:8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
5 925,44 Р (включая НДС 20%)
232 шт.
Отложить Сравнить
F2749796
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, SPI интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:Последовательный SPI
1 104,07 Р (включая НДС 20%)
147 шт.
Отложить Сравнить
F2909701
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 70ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-32

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:32вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.25В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
3 062,55 Р (включая НДС 20%)
22 шт.
Отложить Сравнить
F2772932
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:48вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:256K x 16бит
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 455,38 Р (включая НДС 20%)
272 шт.
Отложить Сравнить
F2772930
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:44вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:512K x 8 бит
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 916,60 Р (включая НДС 20%)
47 шт.
Отложить Сравнить
F2772933
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:44вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:256K x 16бит
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 689,32 Р (включая НДС 20%)
73 шт.
Отложить Сравнить
F2772931
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:44вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:512K x 8 бит
Размер Памяти:4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 373,19 Р (включая НДС 20%)
124 шт.
Отложить Сравнить
F2798716
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:28вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.25В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Организация Памяти:8К x 8бит
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 752,98 Р (включая НДС 20%)
34 шт.
Отложить Сравнить
F2909692
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, 120ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:28вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.25В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Организация Памяти:32К x 8бит
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 867,78 Р (включая НДС 20%)
13 шт.
Отложить Сравнить
F2798717
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:28вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.25В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Организация Памяти:8К x 8бит
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 992,44 Р (включая НДС 20%)
28 шт.
Отложить Сравнить
F2772937
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-32

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:32вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:32К x 8бит
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 358,92 Р (включая НДС 20%)
995 шт.
Отложить Сравнить
F2798719
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Мбит, 2М х 8бит, параллельный интерфейс, 4.5В до 5.5В, EDIP-36

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:36вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Организация Памяти:2М x 8 бит
Размер Памяти:16Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
24 747,92 Р (включая НДС 20%)
11 шт.
Отложить Сравнить
F2909711
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, 70ns Read/Write, Parallel, 4.5V to 5.5V, PWRCP-34

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:34вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:70°C
Максимальное Напряжение Питания:5.5В
Минимальная Рабочая Температура:0°C
Минимальное Напряжение Питания:4.5В
Организация Памяти:32К x 8бит
Размер Памяти:256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:PWRCP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
1 734,65 Р (включая НДС 20%)
10 шт.
Отложить Сравнить
F2772935
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:54вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:512К x 16бит
Размер Памяти:8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
4 965,92 Р (включая НДС 20%)
нет данных
Отложить Сравнить
F2749795
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:24вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:105°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:QSPI
613,57 Р (включая НДС 20%)
нет данных
Отложить Сравнить
F2749794
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:24вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:FBGA
Тип Интерфейса ИС:QSPI
1 279,04 Р (включая НДС 20%)
нет данных
Отложить Сравнить
F2909702
Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 200ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28

Документация
Technical Data Sheet EN

Количество Выводов:28вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:5.25В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:4.75В
Организация Памяти:8К x 8бит
Размер Памяти:64Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:EDIP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 176,90 Р (включая НДС 20%)
нет данных
Отложить Сравнить
F2772927
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:48вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:85°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SSOP
Тип Интерфейса ИС:Параллельный
2 122,55 Р (включая НДС 20%)
нет данных
Отложить Сравнить
F2749793
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Количество Выводов:16вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:105°C
Максимальное Напряжение Питания:3.6В
Минимальная Рабочая Температура:-40°C
Минимальное Напряжение Питания:2.7В
Организация Памяти:128К x 8бит
Размер Памяти:1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:SOIC
Тип Интерфейса ИС:QSPI
1 318,03 Р (включая НДС 20%)
нет данных
Отложить Сравнить
Фильтры товаров
Доступность
Бренд
Упаковка
RoHS статус
Линейка Продукции