MB85R256FPNF-G-JNE2 (FUJITSU)

F2429031
нет данных
 
NVRAM, FRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, Параллельный, 70 нс, SOP

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендFUJITSU НаименованиеMB85R256FPNF-G-JNE2 Цена заШтука Страна производстваJapan СкладFarnell

NVRAM, FRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, Параллельный, 70 нс, SOP

The MB85R256FPNF-G-JNE2 is a 256kB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip in a configuration of 32768 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85R256F is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R256F can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. The MB85R256F uses a pseudo - SRAM interface compatible with conventional asynchronous SRAM.
  • Data retention - 10 years
  • Low power consumption
  • Operating power supply voltage - 2.7 to 3.6V

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное

Время Доступа:
70нс
Количество Выводов:
28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:
32К x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
256Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
SOP
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
Тип Памяти:
FRAM
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да
Популярные товары