J112-D26Z (ON SEMICONDUCTOR)

F2453926
нет данных
 
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеJ112-D26Z Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваJapan СкладFarnell

ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В

The J112_D26Z is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
  • 35V Drain-gate voltage
  • -35V Gate-source voltage
  • 50mA Forward gate current

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-5В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
5мА
Напряжение Пробоя Vbr:
-35В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-226AA
Тип Транзистора:
JFET
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары