SI5403DC-T1-GE3 (VISHAY)

МОП-транзистор, P Канал, 6 А, -30 В, 0.025 Ом, -10 В, -3 В

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate

Количество Выводов:

8вывод(-ов)

Линейка Продукции:

TrenchFET Series

Максимальная Рабочая Температура:

150°C

Напряжение Измерения Rds(on):

-10В

Напряжение Истока-стока Vds:

-30В

Непрерывный Ток Стока:

6А

Полярность Транзистора:

P Канал

Пороговое Напряжение Vgs:

-3В

Рассеиваемая Мощность:

6.3Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):

0.025Ом

Стандарты Автомобильной Промышленности:

Стиль Корпуса Транзистора:

ChipFET

Тип упаковки:

Разрезная лента

SVHC (Особо Опасные Вещества):

No SVHC (17-Dec-2015)

RoHS статус:

Да