NDS7002A (ON SEMICONDUCTOR)

F2438362
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 280 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2.1 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеNDS7002A Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 280 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2.1 В

The NDS7002A is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • High saturation current capability
  • Voltage controlled small signal switch
  • Rugged and reliable

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
60В
Непрерывный Ток Стока:
280мА
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
2.1В
Рассеиваемая Мощность:
300мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
2Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Катушка
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары