NDS332P (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, P Канал, -1 А, -20 В, 0.3 Ом, -4.5 В, -600 мВ
The NDS332P is a P-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications such as battery powered circuits where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Proprietary package design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
Области применения
Управление Питанием, Переносные Устройства, Компьютеры и Периферия, Потребительская Электроника
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-4.5В
Напряжение Истока-стока Vds:
-20В
Непрерывный Ток Стока:
-1А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-600мВ
Рассеиваемая Мощность:
500мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.3Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SuperSOT
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
