MTP2P50EG (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -500 В, 6 Ом, 10 В, -3 В
The MTP2P50EG is a P-channel high voltage Power MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. It is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
- Robust high voltage termination
- Avalanche energy specified
- Source-to-drain diode recovery time comparable to a discrete
- Fast recovery diode
- Diode is characterized for use in bridge circuits
- IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
-500В
Непрерывный Ток Стока:
2А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-3В
Рассеиваемая Мощность:
75Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
6Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Y-Ex
