IRFBE30PBF (VISHAY)
МОП-транзистор, N Канал, 4.1 А, 800 В, 3 Ом, 10 В, 4 В
The IRFBE30PBF is a 800V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Области применения
Управление Питанием
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
800В
Непрерывный Ток Стока:
4.1А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Рассеиваемая Мощность:
125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
3Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да