FDMA530PZ (ON SEMICONDUCTOR)

F1495165
нет данных
 
МОП-транзистор, P Канал, 6.8 А, -30 В, 0.03 Ом, 25 В, -2.1 В

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеFDMA530PZ Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, P Канал, 6.8 А, -30 В, 0.03 Ом, 25 В, -2.1 В

The FDMA530PZ is a single P-channel MOSFET produced Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
  • Halogen-free
  • >3kV Typical HBM ESD protection level

Области применения

Управление Питанием, Переносные Устройства, Потребительская Электроника, Связь и Сеть

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
25В
Напряжение Истока-стока Vds:
-30В
Непрерывный Ток Стока:
6.8А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-2.1В
Рассеиваемая Мощность:
2.4Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.03Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
µFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да