FDD8880 (ON SEMICONDUCTOR)

F2453402
нет данных
 
МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 10 В, 2.5 В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеFDD8880 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваUnited States СкладFarnell

МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 10 В, 2.5 В

The FDD8880 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • Low gate charge
  • High power and current handling capability

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
30В
Непрерывный Ток Стока:
58А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
55Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.007Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252AA
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары