FDB28N30TM (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 300 В, 0.108 Ом, 10 В, 5 В
The FDB28N30TM is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using Fairchild's proprietary planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.
- Improved dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Fast switching
- 39nC Typical low gate charge
- 35pF Typical low Crss
Области применения
Управление Питанием, Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
300В
Непрерывный Ток Стока:
28А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
5В
Рассеиваемая Мощность:
250Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.108Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263AB
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
