BSS192,115 (NEXPERIA)
МОП-транзистор, P Канал, -200 мА, -240 В, 12 Ом, -10 В, -2.8 В
The BSS192,115 is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.
- Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
- Very fast switching
- No secondary breakdown
- -55 to 150°C Junction temperature range
Области применения
Управление Питанием, Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-10В
Напряжение Истока-стока Vds:
-240В
Непрерывный Ток Стока:
-200мА
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-2.8В
Рассеиваемая Мощность:
1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
12Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-89
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
