2N7000TA (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3.9 В
The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved inductive ruggedness
- Improved high temperature reliability
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
60В
Непрерывный Ток Стока:
200мА
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
3.9В
Рассеиваемая Мощность:
400мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
5Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-226AA
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
