IRG4PH50UPBF (INFINEON)

F2776855
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 45 А, 3.2 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендINFINEON НаименованиеIRG4PH50UPBF Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 45 А, 3.2 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

The IRG4PH50UPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for high operating frequencies up to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The new IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. It is optimized for power conversion, SMPS, UPS and welding.
  • High switching frequency capability than competitive IGBTs
  • High efficiency
  • Much lower conduction losses than MOSFETs
  • More efficient than short-circuit rated IGBTs

Области применения

Управление Питанием, Потребительская Электроника, Техническое Обслуживание и Ремонт, Привод Двигателя и Управление

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
45А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
3.2В
Рассеиваемая Мощность:
200Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247AC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары