HGT1S10N120BNST (ON SEMICONDUCTOR)
БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
- 140ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
35А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.45В
Рассеиваемая Мощность:
298Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263AB
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
