GT50J325 (TOSHIBA)
БТИЗ транзистор, 50 А, 2.45 В, 240 Вт, 600 В, TO-3P, 3 вывод(-ов)
GT50J325 от компании Toshiba представляет собой N-канальный силиконовый, биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO-3P. БТИЗ обычно используются в устройствах быстрой коммутации и высокой мощности переключения.
- БТИЗ 4-го поколения
- Режим обогащения
- Быстрая коммутация
- Рабочая частота до 50кГц
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4В
- Между эмиттером и коллектором включен FRD
- Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 600В
- DC ток коллектора 50А
- Температура перехода 150°C
- Рассеивание мощности коллектора 240Вт
Области применения
Управление Питанием, Потребительская Электроника, Переносные Устройства, Промышленное
DC Ток Коллектора:
50А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.45В
Рассеиваемая Мощность:
240Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-3P
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
